CY7C199
32K x 8静态RAM
特点
高速
= 10纳秒
快速吨
美国能源部
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 467毫瓦（最大12 ns的“L ”版）
低待机功耗
- 0.275毫瓦（最大值， “L”的版本）
2V数据保留（仅“L ”版）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
当取消了81 ％的消费。该CY7C199是在
标准的300密耳宽DIP ， SOJ ，而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C199是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
顶视图
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
20 CE
10
11
19 I / O
7
12
18 I / O
6
1314151617
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
10
A
12
A
13
A
11
选购指南
7C199
-8
8
120
L
最大的CMOS待机电流
L
阴影区域包含预览。
A
14
最大访问时间
最大工作电流
0.5
7C199
-10
10
110
90
0.5
0.05
7C199
-12
12
160
90
10
0.05
7C199
-15
15
155
90
10
0.05
7C199
-20
20
150
90
10
0.05
7C199
-25
25
150
80
10
0.05
7C199
-35
35
140
70
10
0.05
7C199
-45
45
140
10
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05160修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月7日
CY7C199
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在工作范围（ -8 ， -10 ， -12 ， -15 ）
[3]
7C199-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
工作电源
当前
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
5
5
5
0.5
0.05
0.5
0.05
30
5
10
0.05
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
120
2.2
–0.5
–5
–5
7C199-10
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
110
85
2.2
–0.5
–5
–5
7C199-12
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
160
85
2.2
–0.5
–5
–5
7C199-15
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
155
100
180
30
5
10
0.05
15
[3]
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ;
Com'l
V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
L
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
CC
- 0.3V L
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0英里
I
SB2
电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ， -35 ， -45 ）
7C199-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
测试条件
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安2.4
0.4
7C199-25
2.4
0.4
7C199-35
2.4
0.4
2.2
-0.5
–5
–5
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
7C199-45
分钟。
2.4
0.4
2.2
-0.5
–5
–5
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
V
CC
2.2 V
CC
+0.3V
+0.3V
0.8
+5
+5
150
90
170
-0.5
–5
–5
0.8
+5
+5
150
80
150
阴影区域包含预览。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
文件编号： 38-05160修订版**
分页： 13 2
CY7C199
电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ， -35 ， -45 ） （续）
[3]
7C199-20
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, L
f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
CC
– 0.3V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
米尔
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
30
5
10
0.05
15
7C199-25
30
5
10
0.05
15
7C199-35
25
5
10
0.05
15
7C199-45
分钟。
MAX 。 UNIT
25
5
10
0.05
15
mA
mA
mA
A
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
SB2
电容
[4 ]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
R1 481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
167
产量
1.73V
R2
255
3.0V
10%
GND
R1 481
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
t
r
≤
t
r
(a)
(b)
戴维南等效
数据保持特性
在整个工作范围（仅L-版）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R [5]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
Com'l L
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V ， CE＆ GT ; V
CC
–
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ;
0.3V
0
200
条件
[6]
分钟。
2.0
马克斯。
单位
V
A
10
A
ns
s
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
R
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
R
＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
文件编号： 38-05160修订版**
第13 3
CY7C199
开关特性
在工作范围（ -8 ， -10 ， -12 ， -15 ）
7C199-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
CE为低电平
CE为高电平
[8, 9]
[3, 7]
7C199-10
分钟。
10
马克斯。
7C199-12
分钟。
12
马克斯。
7C199-15
分钟。
15
马克斯。
单位
ns
15
3
15
7
0
7
3
7
0
15
15
10
10
0
0
9
9
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
3
ns
ns
描述
分钟。
8
马克斯。
8
3
8
4.5
0
5
3
4
0
8
8
7
7
0
0
7
5
0
5
3
3
10
7
7
0
0
7
5
0
0
3
0
3
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
12
9
9
0
0
8
8
0
6
3
12
12
5
5
5
12
低Z
[8]
高-Z
[8,9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[9]
WE高到
低Z
[8]
写周期
[10, 11]
7
开关特性
在工作范围（ -20 ， -25 ， -35 ， -45 ）
[3, 7]
7C199-20
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE为高电平
高-Z
[8, 9]
0
CE为低电时
3
9
0
0
9
3
11
0
3
20
9
0
11
3
15
0
20
20
3
25
10
0
15
3
15
25
25
3
35
16
0
15
35
35
3
45
16
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C199-25
分钟。
马克斯。
7C199-35
分钟。
马克斯。
7C199-45
分钟。
马克斯。
单位
阴影区域包含预览。
注意事项：
7.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5纳秒或更少的信号转换时间-20和较慢的速度，时序1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05160修订版**
第13 4
CY7C199
开关特性
在工作范围（ -20 ， -25 ， -35 ， -45 ）
[3, 7]
7C199-20
参数
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期
[10,11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到
WE高到
高-Z
[9]
低Z
[8]
3
20
15
15
0
0
15
10
0
10
3
25
18
20
0
0
18
10
0
11
3
35
22
30
0
0
22
15
0
15
3
45
22
40
0
0
22
15
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
CE高到掉电
分钟。
马克斯。
20
7C199-25
分钟。
马克斯。
20
7C199-35
分钟。
马克斯。
20
7C199-45
分钟。
马克斯。
25
单位
ns
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号
[13, 14]
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
RC
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05160修订版**
第13个5
99
CY7C199
32K x 8静态RAM
特点
高速
= 10纳秒
快速吨
美国能源部
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 467毫瓦（最大12 ns的“L ”版）
低待机功耗
- 0.275毫瓦（最大值， “L”的版本）
2V数据保留（仅“L ”版）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态驱动器。此设备具有
自动断电功能，降低了功率变
消耗了81％的时候取消。该CY7C199是在
标准的300密耳宽DIP ， SOJ ，而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C199是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为32,768字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
顶视图
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
20 CE
10
11
19 I / O
7
12
18 I / O
6
1314151617
C199–3
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
C199–2
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
10
A
12
A
13
A
11
A
14
C199–1
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C199–4
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
L
最大的CMOS
待机电流（mA ）长
7C199-8
8
120
0.5
7C199-10 7C199-12
10
12
110
160
90
90
0.5
10
0.05
0.05
7C199-15 7C199-20
15
20
155
150
90
90
10
10
0.05
0.05
7C199-25 7C199-35
25
35
150
140
80
70
10
10
0.05
0.05
7C199-45
45
140
10
阴影区域包含预览。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05160牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月7日
CY7C199
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C199-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
5
5
5
0.5
0.05
0.5
0.05
30
5
10
0.05
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
120
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
110
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
160
85
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
155
100
180
30
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - TTL
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
IH
,
L
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
- 0.3V L
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0英里
I
SB2
阴影区域包含预览。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
文件编号： 38-05160牧师**
第16页2
CY7C199
电气特性
在整个工作范围
[3]
（续）
7C199-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入负载
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
L
米尔
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
90
170
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
150
80
150
30
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
2.2
-0.5
–5
–5
马克斯。
7C199-45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
140
70
150
25
5
10
0.05
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
mA
I
SB1
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
L
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
米尔
I
SB2
]
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05160牧师**
第16页3
CY7C199
开关特性
在整个工作范围
[3, 7]
7C199-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8,9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9]
WE高到低Z
[8]
3
8
7
7
0
0
7
5
0
5
3
0
8
10
7
7
0
0
7
5
0
6
3
3
4
0
10
12
9
9
0
0
8
8
0
7
3
0
5
3
5
0
12
15
10
10
0
0
9
9
0
7
3
8
4.5
0
5
3
5
0
15
8
8
3
10
5
0
5
3
7
10
10
3
12
5
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C199-10
分钟。
马克斯。
7C199-12
分钟。
马克斯。
7C199-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
阴影区域包含预览。
注意事项：
7.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5纳秒或更少的信号转换时间-20和较慢的速度，时序1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05160牧师**
第16页5
