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CD54HC164 , CD74HC164 ,
CD54HCT164 , CD74HCT164
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS155C
1997年10月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
8位串行输入/并行输出移位寄存器
描述
的“ HC164和' HCT164是8位串行输入并行输出移位
与异步复位寄存器。数据移动的
的时钟( CP )上升沿。一个低的主复位
( MR)引脚复位移位寄存器,所有输出去的
低状态,而不管输入的条件。两个串行
数据输入( DS1和DS2 )提供的,其中之一可以是
用作数据使能控制。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC164
,
CD74
HCT16
4)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
SERIAL-
在/杆
allel-
异步主复位
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC164F3A
CD54HCT164F3A
CD74HC164E
CD74HC164M
CD74HC164MT
CD74HC164M96
CD74HCT164E
CD74HCT164M
CD74HCT164MT
CD74HCT164M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC164 , CD54HCT164
( CERDIP )
CD74HC164 , CD74HCT164
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q
0
3
Q
1
4
Q
2
5
Q
3
6
7 GND
14 V
CC
13 Q
7
12 Q
6
11 Q
5
10 Q
4
9 MR
8 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
工作原理图
1
DS1
2
DS2
3
4
5
6
10
11
12
13
9
MR
CP
8
GND = 7
V
CC
= 14
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q
0
L
L
L
L
H
输出
Q
1
- Q
7
L-L
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
H =高电压电平。
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电压电平。
X =不在乎。
↑=
转变从低到高的水平。
q
n
=小写字母表示的参考输入时钟切换的状态。
2
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
日期移入( 1 ,2)
MR
时钟
单位负载
0.3
0.9
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟频率
f
最大
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
2
4.5
6
6
30
35
60
12
10
-
-
-
-
-
-
5
24
28
75
15
13
-
-
-
-
-
-
4
20
24
90
18
15
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
前提切换功能
参数
CP脉冲宽度
符号
t
W
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
t
SU
2
4.5
6
保持时间
t
H
2
4.5
6
MR时钟,
拆除时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟频率
MR脉冲宽度
CP脉冲宽度
建立时间
保持时间
MR时钟,
拆除时间
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
4.5
6
4.5
6
4.5
6
27
18
18
12
4
16
-
-
-
-
-
-
22
23
23
15
4
20
-
-
-
-
-
-
18
27
27
18
4
24
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
80
16
14
60
12
10
4
4
4
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
75
15
13
4
4
4
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
90
18
15
4
4
4
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
CP到Q
n
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
14
-
-
-
11
-
-
-
-
60
-
170
34
-
29
140
28
-
24
75
15
13
-
10
212
43
-
36
175
35
-
30
-
-
-
-
10
255
51
-
43
210
42
-
36
110
22
19
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
最大时钟频率
输入电容
f
最大
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS155
CD74HC164,
CD74HCT164
高速CMOS逻辑
8位串行输入/并行输出移位寄存器
描述
哈里斯CD74HC164和CD74HCT164是8位
具有异步复位串行输入并行输出移位寄存器。
数据移位时钟工作(CP)的正边缘。一个低电平
主复位( MR)引脚复位移位寄存器和所有
输出变为输入的低电平状态,无论条件
系统蒸发散。两个串行数据输入( DS1和DS2 )提供,
任一个可以被用作一个数据使能控制。
1997年10月
特点
缓冲输入
异步主复位
典型F
最大
=在V 50MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC164
,
CD74
HCT16
4)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
SERIAL-
在/杆
allel-
订购信息
产品型号
CD74HC164E
CD74HCT164E
CD74HC164M
CD74HCT164M
注意:
1,订货时,使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.晶圆和芯片可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
PKG 。
E14.3
E14.3
M14.15
M14.15
引脚
CD74HC164 , CD74HCT164
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q
0
3
Q
1
4
Q
2
5
Q
3
6
7 GND
14 V
CC
13 Q
7
12 Q
6
11 Q
5
10 Q
4
9 MR
8 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1658.1
1
CD74HC164 , CD74HCT164
工作原理图
1
DS1
2
DS2
3
4
5
6
10
11
12
13
9
MR
CP
8
GND = 7
V
CC
= 14
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q
0
L
L
L
L
H
输出
Q
1
- Q
7
L-L
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
注意事项:
H =高电压电平。
H =高电压电平的一个建立时间之前,由低到高时钟转变。
升=低电压电平的一个建立时间之前,由低到高时钟转变。
L =低电压电平。
X =不在乎。
=转变,从低到高的水平。
q
n
=小写字母表示的参考输入时钟切换的状态。
2
CD74HC164 , CD74HCT164
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
175
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD74HC164 , CD74HCT164
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
(注3)
注意:
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
日期移入( 1 ,2)
MR
时钟
单位负载
0.3
0.9
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟频率
f
最大
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
2
4.5
6
6
30
35
60
12
10
-
-
-
-
-
-
5
24
28
75
15
13
-
-
-
-
-
-
4
20
24
90
18
15
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD74HC164 , CD74HCT164
前提切换功能
参数
CP脉冲宽度
符号
t
W
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
t
SU
2
4.5
6
保持时间
t
H
2
4.5
6
MR时钟,
拆除时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟频率
MR脉冲宽度
CP脉冲宽度
建立时间
保持时间
MR时钟,
拆除时间
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
4.5
6
4.5
6
4.5
6
27
18
18
12
4
16
-
-
-
-
-
-
22
23
23
15
4
20
-
-
-
-
-
-
18
27
27
18
4
24
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
80
16
14
60
12
10
4
4
4
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
75
15
13
4
4
4
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
90
18
15
4
4
4
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
CP到Q
n
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
14
-
-
-
11
-
-
-
-
60
-
170
34
-
29
140
28
-
24
75
15
13
-
10
212
43
-
36
175
35
-
30
-
-
-
-
10
255
51
-
43
210
42
-
36
110
22
19
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
最大时钟频率
输入电容
f
最大
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
5
CD54HC164 , CD74HC164 ,
CD54HCT164 , CD74HCT164
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS155C
1997年10月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
8位串行输入/并行输出移位寄存器
描述
的“ HC164和' HCT164是8位串行输入并行输出移位
与异步复位寄存器。数据移动的
的时钟( CP )上升沿。一个低的主复位
( MR)引脚复位移位寄存器,所有输出去的
低状态,而不管输入的条件。两个串行
数据输入( DS1和DS2 )提供的,其中之一可以是
用作数据使能控制。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC164
,
CD74
HCT16
4)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
SERIAL-
在/杆
allel-
异步主复位
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC164F3A
CD54HCT164F3A
CD74HC164E
CD74HC164M
CD74HC164MT
CD74HC164M96
CD74HCT164E
CD74HCT164M
CD74HCT164MT
CD74HCT164M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC164 , CD54HCT164
( CERDIP )
CD74HC164 , CD74HCT164
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q
0
3
Q
1
4
Q
2
5
Q
3
6
7 GND
14 V
CC
13 Q
7
12 Q
6
11 Q
5
10 Q
4
9 MR
8 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
工作原理图
1
DS1
2
DS2
3
4
5
6
10
11
12
13
9
MR
CP
8
GND = 7
V
CC
= 14
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q
0
L
L
L
L
H
输出
Q
1
- Q
7
L-L
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
H =高电压电平。
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电压电平。
X =不在乎。
↑=
转变从低到高的水平。
q
n
=小写字母表示的参考输入时钟切换的状态。
2
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
日期移入( 1 ,2)
MR
时钟
单位负载
0.3
0.9
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟频率
f
最大
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
2
4.5
6
6
30
35
60
12
10
-
-
-
-
-
-
5
24
28
75
15
13
-
-
-
-
-
-
4
20
24
90
18
15
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
前提切换功能
参数
CP脉冲宽度
符号
t
W
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
t
SU
2
4.5
6
保持时间
t
H
2
4.5
6
MR时钟,
拆除时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟频率
MR脉冲宽度
CP脉冲宽度
建立时间
保持时间
MR时钟,
拆除时间
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
4.5
6
4.5
6
4.5
6
27
18
18
12
4
16
-
-
-
-
-
-
22
23
23
15
4
20
-
-
-
-
-
-
18
27
27
18
4
24
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
80
16
14
60
12
10
4
4
4
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
75
15
13
4
4
4
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
90
18
15
4
4
4
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
CP到Q
n
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
14
-
-
-
11
-
-
-
-
60
-
170
34
-
29
140
28
-
24
75
15
13
-
10
212
43
-
36
175
35
-
30
-
-
-
-
10
255
51
-
43
210
42
-
36
110
22
19
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
最大时钟频率
输入电容
f
最大
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
5
CD54HC164 , CD74HC164 ,
CD54HCT164 , CD74HCT164
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS155C
1997年10月 - 修订2003年8月
高速CMOS逻辑器件
8位串行输入/并行输出移位寄存器
描述
的“ HC164和' HCT164是8位串行输入并行输出移位
与异步复位寄存器。数据移动的
的时钟( CP )上升沿。一个低的主复位
( MR)引脚复位移位寄存器,所有输出去的
低状态,而不管输入的条件。两个串行
数据输入( DS1和DS2 )提供的,其中之一可以是
用作数据使能控制。
特点
缓冲输入
[ /标题
(CD74
HC164
,
CD74
HCT16
4)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
8-Bit
SERIAL-
在/杆
allel-
异步主复位
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ,C
L
= 15pF的,
T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC164F3A
CD54HCT164F3A
CD74HC164E
CD74HC164M
CD74HC164MT
CD74HC164M96
CD74HCT164E
CD74HCT164M
CD74HCT164MT
CD74HCT164M96
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的PDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF科幻×96
表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示的小批量卷轴
250.
引脚
CD54HC164 , CD54HCT164
( CERDIP )
CD74HC164 , CD74HCT164
( PDIP , SOIC )
顶视图
DS1 1
DS2 2
Q
0
3
Q
1
4
Q
2
5
Q
3
6
7 GND
14 V
CC
13 Q
7
12 Q
6
11 Q
5
10 Q
4
9 MR
8 CP
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
工作原理图
1
DS1
2
DS2
3
4
5
6
10
11
12
13
9
MR
CP
8
GND = 7
V
CC
= 14
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Q
5
Q
6
Q
7
真值表
输入
经营模式
复位(清)
MR
L
H
H
H
H
CP
X
DS1
X
l
l
h
h
DS2
X
l
h
l
h
Q
0
L
L
L
L
H
输出
Q
1
- Q
7
L-L
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
q
0 -
q
6
H =高电压电平。
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换。
L =低电压电平。
X =不在乎。
↑=
转变从低到高的水平。
q
n
=小写字母表示的参考输入时钟切换的状态。
2
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
86
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
4
5.2
-
0
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
3
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
or
V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(毫安)V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
日期移入( 1 ,2)
MR
时钟
单位负载
0.3
0.9
0.7
注:机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表,如最大360μA 25
o
C.
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
最大时钟频率
f
最大
2
4.5
6
MR脉冲宽度
t
w
2
4.5
6
6
30
35
60
12
10
-
-
-
-
-
-
5
24
28
75
15
13
-
-
-
-
-
-
4
20
24
90
18
15
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
符号
V
CC
(V)
最大
-40
o
C至85
o
C
最大
-55
o
C至125
o
C
最大
单位
4
CD54HC164 , CD74HC164 , CD54HCT164 , CD74HCT164
前提切换功能
参数
CP脉冲宽度
符号
t
W
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
2
4.5
6
建立时间
t
SU
2
4.5
6
保持时间
t
H
2
4.5
6
MR时钟,
拆除时间
t
REM
2
4.5
6
HCT类型
最大时钟频率
MR脉冲宽度
CP脉冲宽度
建立时间
保持时间
MR时钟,
拆除时间
f
最大
t
w
t
w
t
SU
t
H
t
REM
4.5
6
4.5
6
4.5
6
27
18
18
12
4
16
-
-
-
-
-
-
22
23
23
15
4
20
-
-
-
-
-
-
18
27
27
18
4
24
-
-
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
80
16
14
60
12
10
4
4
4
80
16
14
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
o
C至85
o
C
100
20
17
75
15
13
4
4
4
100
20
17
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
o
C至125
o
C
120
24
20
90
18
15
4
4
4
120
24
20
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
参数
HC类型
传播延迟,
CP到Q
n
符号
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
-
-
14
-
-
-
11
-
-
-
-
60
-
170
34
-
29
140
28
-
24
75
15
13
-
10
212
43
-
36
175
35
-
30
-
-
-
-
10
255
51
-
43
210
42
-
36
110
22
19
-
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
MR到Q
n
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
C
L
= 15pF的
C
L
= 50pF的
输出转换时间
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
5
6
2
4.5
6
最大时钟频率
输入电容
f
最大
C
IN
C
L
= 15pF的
-
5
-
5
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