CY7C138 CY7C1394K X 8/9双口静态RAM
用扫描电镜，诠释，忙
CY7C138
CY7C139
4K X 8/9双口静态RAM
用扫描电镜，诠释，忙
特点
真正的双端口存储器单元允许同时
读取相同的内存位置
4K ×8组织（ CY7C138 ）
4K ×9的组织（ CY7C139 ）
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 160毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
TTL兼容
可扩展数据总线32/36位以上使用
使用多个时，主/从芯片选择
设备
片上仲裁逻辑
包括信号灯，允许软件握手
端口之间
INT标志的端口到端口的通信
提供68引脚PLCC
无铅封装
包括对CY7C138 / 9时，处理情况
多个处理器访问同一块数据。两个端口
提供了允许独立的，异步访问
用于读取和写入到任意位置在存储器中。该
CY7C138 / 9可以被用作一个独立的8/9位双端口
静态RAM或多个设备可以顺序组合，以
功能，16/ 18位或者更宽的主/从双端口静态
内存。在M / S引脚提供了一种用于执行18分之16位或
而不需要单独的更宽的存储器的应用程序
主从设备或额外的分立逻辑。应用程序
阳离子领域包括处理器间/多处理器设计，
通讯
状态
缓冲，
和
双端口
视频/图形内存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（R / W）和输出使能（ OE ） 。两个标志
提供了每个端口（ BUSY和INT ）上。 BUSY信号
端口正试图访问相同的位置，目前正在
通过其他端口进行访问。中断标志位（ INT ）许可证
由一个邮件的装置的端口或系统之间的通信
框。通过这些信号被用来传递一个标志，或者令牌，从
一个端口到另一个时，表示一个共享资源是在
使用。旗语逻辑由八个共享
锁存器。只有一侧可控制锁存器（信号）在
任何时间。信号量的控制指示的共享
资源在使用中。自动断电功能是
通过芯片的每个端口上的独立控制使能（ CE ）
引脚或SEM引脚。
该CY7C138和CY7C139是一个68引脚PLCC可用。
功能说明
该CY7C138和CY7C139是高速CMOS 4K ×8
和4K ×9双端口静态RAM 。各仲裁方案
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
(7C139)I/O
8L
I / O
7L
I / O
0L
忙
L
[1, 2]
A
11L
A
0L
地址
解码器
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
(7C139)
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
A
11R
A
0R
[1, 2]
内存
ARRAY
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
INT
L
[2]
打断
SEMAPHORE
仲裁
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
INT
R
[2]
M / S
注意事项：
1. BUSY处于主模式的输出和输入从机模式。
2.中断：推挽输出，并且不需要上拉电阻。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06037牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年9月6日
CY7C138
CY7C139
销刀豆网络gurations
\
68引脚PLCC
顶视图
NC
[4]
OE L
R / W L
SEM
L
CEL
I / O 1L
I / O 0L
NC
NC
VCC
NC
A
11L
A
10L
A9L
A8L
A7L
A6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
47
46
45
44
9 8 7 6
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
CY7C138/9
52
51
50
49
48
2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
NC
[3]
OE
R
A
9R
A8R
读/写
R
SEM
R
CER
NC
NC
GND
NC
A
11R
A10R
A7R
A6R
I/O7R
引脚德网络nitions
左侧端口
I / O
0L–7L(8L)
A
0L–11L
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
正确的端口
I / O
0R–7R(8R)
A
0R–11R
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
数据总线输入/输出
地址线
芯片使能
OUTPUT ENABLE
读/写使能
信号灯启用。当低电平时，允许访问8
信号量。地址线的三个最低显著位将
确定哪个信号量，以便写入或读出。在I / O
0
销时使用
写入信号。信号量是通过写0到请求
各自的位置。
中断标志。 INT
L
当正确的端口写入位置FFE和后清零
当左端口读取位置FFE 。 INT
R
当左端口写入位置设置
当正确的端口读取位置FFF FFF和被清除。
忙标志
主机或从机选择
动力
地
描述
INT
L
INT
R
忙
L
M / S
V
CC
GND
忙
R
选购指南
7C138-15
7C139-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
最大待机电流为我
SB1
注意事项：
3. I / O
8R
在CY7C139 。
4. I / O
8L
在CY7C139 。
7C138-25
7C139-25
25
180
40
A5R
7C138-35
7C139-35
35
160
30
7C138-55
7C139-55
55
160
30
单位
ns
mA
mA
15
广告
广告
220
60
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页2
CY7C138
CY7C139
最大额定值
[5]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
[6]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C138-15
7C139-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
输出禁用
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
这两个端口
CE认证和CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
[7]
一个端口
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动
端口输出，女= F
MAX[7]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
125
15
130
60
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
待机电流
（这两个端口CMOS电平）
I
SB4
待机电流
（一个端口CMOS电平）
注意事项：
5.在任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
6，脉冲宽度< 20纳秒。
7. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3
.
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页3
CY7C138
CY7C139
电气特性
在工作范围（续）
]
7C138-35
7C139-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
输出禁用
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
这两个端口
CE认证和CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
[7]
一个端口
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动
端口输出，女= F
MAX[7]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
–10
–10
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
mA
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
待机电流
（这两个端口CMOS电平）
I
SB4
待机电流
（一个端口CMOS电平）
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
15
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
R1 = 893
产量
C = 30 pF的
R2 = 347
产量
C = 30pF的
V
TH
= 1.4V
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维南EquivalentLoad 1 ）
(
所有的输入脉冲
产量
C = 30 pF的
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
（三）三态延迟（负载3 ）
5V
R1 = 893
产量
C = 5 pF的
R2 = 347
R
TH
= 250
＆ LT ; 3纳秒
负载（负载2 ）
注意：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页4
CY7C138
CY7C139
开关特性
在整个工作范围
[9]
7C138-15
7C139-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
3
10
3
10
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
30
25
15
15
15
15
5
0
13
注15
5
0
20
注15
3
50
30
20
20
20
20
5
0
30
注15
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
20
20
20
20
5
0
40
注15
0
25
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
45
40
40
35
3
15
0
35
55
40
40
2
0
30
20
0
25
3
15
10
3
15
3
20
0
55
15
15
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
马克斯。
7C138-35
7C139-35
分钟。
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
马克斯。
单位
t
LZOE[10,11,12]
OE低到低Z
t
HZOE[10,11,12]
OE高到高Z
t
LZCE[10,11,12]
CE低到低Z
t
HZCE[10,11,12]
t
PU[12]
t
PD[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[11,12]
t
LZWE[11,12]
t
WDD[13]
t
DDD[13]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[15]
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的到数据有效
写周期
忙碌计时
[14]
注意事项：
9.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
11.使用测试条件负载3 。
12.此参数是保证，但未经测试。
13.从写端口读取端口上的部分到部分延迟至RAM单元的信息，请参考阅读时间与端口到端口延迟波形。
14.使用测试条件负载2 。
15. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
– t
PWE
（实际的）或T
DDD
– t
SD
（实际的） 。
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页5
CY7C138 CY7C1394K X 8/9双口静态RAM
用扫描电镜，诠释，忙
CY7C138
CY7C139
4K X 8/9双口静态RAM
用扫描电镜，诠释，忙
特点
真正的双端口存储器单元允许同时
读取相同的内存位置
4K ×8组织（ CY7C138 ）
4K ×9的组织（ CY7C139 ）
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 160毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
TTL兼容
可扩展数据总线32/36位以上使用
使用多个时，主/从芯片选择
设备
片上仲裁逻辑
包括信号灯，允许软件握手
端口之间
INT标志的端口到端口的通信
提供68引脚PLCC
无铅封装
包括对CY7C138 / 9时，处理情况
多个处理器访问同一块数据。两个端口
提供了允许独立的，异步访问
用于读取和写入到任意位置在存储器中。该
CY7C138 / 9可以被用作一个独立的8/9位双端口
静态RAM或多个设备可以顺序组合，以
功能，16/ 18位或者更宽的主/从双端口静态
内存。在M / S引脚提供了一种用于执行18分之16位或
而不需要单独的更宽的存储器的应用程序
主从设备或额外的分立逻辑。应用程序
阳离子领域包括处理器间/多处理器设计，
通讯
状态
缓冲，
和
双端口
视频/图形内存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（R / W）和输出使能（ OE ） 。两个标志
提供了每个端口（ BUSY和INT ）上。 BUSY信号
端口正试图访问相同的位置，目前正在
通过其他端口进行访问。中断标志位（ INT ）许可证
由一个邮件的装置的端口或系统之间的通信
框。通过这些信号被用来传递一个标志，或者令牌，从
一个端口到另一个时，表示一个共享资源是在
使用。旗语逻辑由八个共享
锁存器。只有一侧可控制锁存器（信号）在
任何时间。信号量的控制指示的共享
资源在使用中。自动断电功能是
通过芯片的每个端口上的独立控制使能（ CE ）
引脚或SEM引脚。
该CY7C138和CY7C139是一个68引脚PLCC可用。
功能说明
该CY7C138和CY7C139是高速CMOS 4K ×8
和4K ×9双端口静态RAM 。各仲裁方案
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
(7C139)I/O
8L
I / O
7L
I / O
0L
忙
L
[1, 2]
A
11L
A
0L
地址
解码器
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
(7C139)
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
A
11R
A
0R
[1, 2]
内存
ARRAY
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
INT
L
[2]
打断
SEMAPHORE
仲裁
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
INT
R
[2]
M / S
注意事项：
1. BUSY处于主模式的输出和输入从机模式。
2.中断：推挽输出，并且不需要上拉电阻。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06037牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年9月6日
CY7C138
CY7C139
销刀豆网络gurations
\
68引脚PLCC
顶视图
NC
[4]
OE L
R / W L
SEM
L
CEL
I / O 1L
I / O 0L
NC
NC
VCC
NC
A
11L
A
10L
A9L
A8L
A7L
A6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
47
46
45
44
9 8 7 6
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
CY7C138/9
52
51
50
49
48
2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
NC
[3]
OE
R
A
9R
A8R
读/写
R
SEM
R
CER
NC
NC
GND
NC
A
11R
A10R
A7R
A6R
I/O7R
引脚德网络nitions
左侧端口
I / O
0L–7L(8L)
A
0L–11L
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
正确的端口
I / O
0R–7R(8R)
A
0R–11R
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
数据总线输入/输出
地址线
芯片使能
OUTPUT ENABLE
读/写使能
信号灯启用。当低电平时，允许访问8
信号量。地址线的三个最低显著位将
确定哪个信号量，以便写入或读出。在I / O
0
销时使用
写入信号。信号量是通过写0到请求
各自的位置。
中断标志。 INT
L
当正确的端口写入位置FFE和后清零
当左端口读取位置FFE 。 INT
R
当左端口写入位置设置
当正确的端口读取位置FFF FFF和被清除。
忙标志
主机或从机选择
动力
地
描述
INT
L
INT
R
忙
L
M / S
V
CC
GND
忙
R
选购指南
7C138-15
7C139-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
最大待机电流为我
SB1
注意事项：
3. I / O
8R
在CY7C139 。
4. I / O
8L
在CY7C139 。
7C138-25
7C139-25
25
180
40
A5R
7C138-35
7C139-35
35
160
30
7C138-55
7C139-55
55
160
30
单位
ns
mA
mA
15
广告
广告
220
60
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页2
CY7C138
CY7C139
最大额定值
[5]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
[6]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C138-15
7C139-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
输出禁用
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
这两个端口
CE认证和CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
[7]
一个端口
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动
端口输出，女= F
MAX[7]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
125
15
130
60
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
待机电流
（这两个端口CMOS电平）
I
SB4
待机电流
（一个端口CMOS电平）
注意事项：
5.在任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
6，脉冲宽度< 20纳秒。
7. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3
.
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页3
CY7C138
CY7C139
电气特性
在工作范围（续）
]
7C138-35
7C139-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出禁用， GND < V
O
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
输出禁用
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
,
f = f
MAX[7]
这两个端口
CE认证和CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
[7]
一个端口
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动
端口输出，女= F
MAX[7]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
–10
–10
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
mA
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
待机电流
（这两个端口CMOS电平）
I
SB4
待机电流
（一个端口CMOS电平）
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
15
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
R1 = 893
产量
C = 30 pF的
R2 = 347
产量
C = 30pF的
V
TH
= 1.4V
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维南EquivalentLoad 1 ）
(
所有的输入脉冲
产量
C = 30 pF的
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
（三）三态延迟（负载3 ）
5V
R1 = 893
产量
C = 5 pF的
R2 = 347
R
TH
= 250
＆ LT ; 3纳秒
负载（负载2 ）
注意：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页4
CY7C138
CY7C139
开关特性
在整个工作范围
[9]
7C138-15
7C139-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
3
10
3
10
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
30
25
15
15
15
15
5
0
13
注15
5
0
20
注15
3
50
30
20
20
20
20
5
0
30
注15
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
20
20
20
20
5
0
40
注15
0
25
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
45
40
40
35
3
15
0
35
55
40
40
2
0
30
20
0
25
3
15
10
3
15
3
20
0
55
15
15
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
马克斯。
7C138-35
7C139-35
分钟。
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
马克斯。
单位
t
LZOE[10,11,12]
OE低到低Z
t
HZOE[10,11,12]
OE高到高Z
t
LZCE[10,11,12]
CE低到低Z
t
HZCE[10,11,12]
t
PU[12]
t
PD[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[11,12]
t
LZWE[11,12]
t
WDD[13]
t
DDD[13]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[15]
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后， BUSY高高
繁忙的到数据有效
写周期
忙碌计时
[14]
注意事项：
9.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
11.使用测试条件负载3 。
12.此参数是保证，但未经测试。
13.从写端口读取端口上的部分到部分延迟至RAM单元的信息，请参考阅读时间与端口到端口延迟波形。
14.使用测试条件负载2 。
15. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
– t
PWE
（实际的）或T
DDD
– t
SD
（实际的） 。
文件编号： 38-06037牧师* B
第16页5
