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内部钳位器分流±100V浪涌电压保护下游组件并增强系统稳健性

发布时间:2024/4/25 22:27:33 访问次数:47

内置的PMBus™接口能提供灵活而全面的数字通信,具有控制和监测电压、电流、温度的功能并能报告故障状况。

内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压,保护下游组件并增强系统的稳健性。

OCP9225AH具有过电压保护功能,如果输入电压超过OVP阈值,可使内部FET断电。OVP阈值可通过可选的外部电阻器进行调节,公式为VIN_OVLO=1.2×(R1+R2)/R2。过温保护也会在140℃时关闭设备(典型情况)。

最低的3.3kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD,让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。

许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。

虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案,但到目前为止,3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。

功率最高的碳化硅基氮化镓RF晶体管----QPD1025。QPD1025在65V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。

Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。

Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点.

深圳市品德冠科技有限公司http://jzs66.51dzw.com

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