E2G0149-29-41
半导体
MSM514102D/DL
半导体
这个版本： 1999年4月
MSM514102D/DL
4,194,304-Word
1位动态RAM ：静态列模式类型
描述
该MSM514102D / DL是一个4,194,304字
1位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM514102D / DL实现高集成，高速运行，并
低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
单层金属CMOS工艺。该MSM514102D / DL是26 /20- pin塑料SOJ可用， 20-
引脚塑料ZIP ，或26 /20- pin塑料TSOP 。该MSM514102DL （低功率版）是专
设计用于低功率应用。
特点
· 4,194,304字
1位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 1024次/ 16毫秒， 1024次/ 128毫秒（ L-版）
静态列模式下，读 - 修改 - 写功能
CS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项：
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/20-P-300-1.27)
（产品： MSM514102D / DL- xxSJ ）
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM514102D / DL- xxZS ）
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料TSOP
（ TSOPII26 / 20 -P- 300-1.27 -K）个（产品： MSM514102D / DL- xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514102D/DL-60
MSM514102D/DL-70
MSM514102D/DL-80
访问时间（最大值）。
t
RAC
60纳秒
70纳秒
80纳秒
t
AA
30纳秒
35纳秒
40纳秒
t
CAC
15纳秒
20纳秒
20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
495毫瓦
440毫瓦
385毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
1/17
半导体
MSM514102D/DL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容（ A0 - A10 ，D
IN
)
输入电容（ RAS ，
CS ， WE）
输出电容（D
OUT
)
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
MSM514102D/DL
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
符号
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
MSM514102 MSM514102 MSM514102
D/DL-60
D/DL-70
D/DL-80
单位注
分钟。
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
2.4
0
–10
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
D
OUT
关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS ， CS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CS
= V
IL
,
D
OUT
=启用
I
CC6
RAS
骑自行车，
CS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC9
地址骑自行车，
t
SC
=最小值。
t
RC
= 125
女士，
I
CC10
CS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ CS前
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（静态列模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
—
—
90
2
1
200
90
—
—
—
—
—
80
2
1
200
80
—
—
—
—
—
70
2
1
200
70
毫安1,2
mA
mA
1
1, 5
毫安1,2
—
5
—
5
—
5
mA
1
—
90
—
80
—
70
毫安1,2
—
80
—
70
—
60
毫安1,3
—
300
—
300
—
300
mA
1, 4,
5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
6.5 V, –1.0 V
V
IL
0.2 V.
L-版本。
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半导体
MSM514102D/DL
半导体
这个版本： 1999年4月
MSM514102D/DL
4,194,304-Word
1位动态RAM ：静态列模式类型
描述
该MSM514102D / DL是一个4,194,304字
1位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM514102D / DL实现高集成，高速运行，并
低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
单层金属CMOS工艺。该MSM514102D / DL是26 /20- pin塑料SOJ可用， 20-
引脚塑料ZIP ，或26 /20- pin塑料TSOP 。该MSM514102DL （低功率版）是专
设计用于低功率应用。
特点
· 4,194,304字
1位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 1024次/ 16毫秒， 1024次/ 128毫秒（ L-版）
静态列模式下，读 - 修改 - 写功能
CS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项：
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/20-P-300-1.27)
（产品： MSM514102D / DL- xxSJ ）
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM514102D / DL- xxZS ）
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料TSOP
（ TSOPII26 / 20 -P- 300-1.27 -K）个（产品： MSM514102D / DL- xxTS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514102D/DL-60
MSM514102D/DL-70
MSM514102D/DL-80
访问时间（最大值）。
t
RAC
60纳秒
70纳秒
80纳秒
t
AA
30纳秒
35纳秒
40纳秒
t
CAC
15纳秒
20纳秒
20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
495毫瓦
440毫瓦
385毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
1/17
半导体
MSM514102D/DL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容（ A0 - A10 ，D
IN
)
输入电容（ RAS ，
CS ， WE）
输出电容（D
OUT
)
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
MSM514102D/DL
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
符号
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
MSM514102 MSM514102 MSM514102
D/DL-60
D/DL-70
D/DL-80
单位注
分钟。
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
2.4
0
–10
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
D
OUT
关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS ， CS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CS
= V
IL
,
D
OUT
=启用
I
CC6
RAS
骑自行车，
CS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC9
地址骑自行车，
t
SC
=最小值。
t
RC
= 125
女士，
I
CC10
CS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ CS前
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（静态列模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
—
—
90
2
1
200
90
—
—
—
—
—
80
2
1
200
80
—
—
—
—
—
70
2
1
200
70
毫安1,2
mA
mA
1
1, 5
毫安1,2
—
5
—
5
—
5
mA
1
—
90
—
80
—
70
毫安1,2
—
80
—
70
—
60
毫安1,3
—
300
—
300
—
300
mA
1, 4,
5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
6.5 V, –1.0 V
V
IL
0.2 V.
L-版本。
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