6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
包
MOC3082M
MOC3083M
概要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
N / C 3
零
路口
电路
*不要连接
（ TRIAC基板）
4主要名词。
描述
该MOC3081M ， MOC3082M和MOC3083M设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片砷化镓
硅检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。
它们被设计用于在逻辑系统到设备的接口的离散功率可控硅从240伏交流线供电，
如固态继电器，工业控制，电机，电磁阀及消费类电子产品等。
特点
美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 网络文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认可 - 网络文件＃ 102497 - 添加选项V（例如， MOC3083VM ）
简化网络连接的ES逻辑控制的240 VAC电源
零电压穿越
1500 V的dv / dt /μs的保证典型， 600 V / μs的
兼容飞兆半导体的FKPF12N80分立功率TRIAC
应用
螺线管/阀门控制
照明控制
静态电源开关
交流马达驱动器
温度控制
E.M.接触
交流电动机起动器
固态继电器
2003仙童半导体公司
分页： 11 1
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
800
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第11 2
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 800V ，我
F
= 0（注1 ）
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
I
DRM1
dv / dt的
600
10
1500
500
nA
V / μs的
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
F
I
R
1.3
0.005
1.5
100
V
A
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
主要终端
电压= 3V （注2 ）
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
符号
设备
MOC3081M
LED触发电流
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
I
FT
MOC3082M
MOC3083M
V
TM
I
H
所有
所有
1.8
500
民
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
过零特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 800V ，关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
所有
所有
民
典型*
12
200
最大
20
500
单位
V
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安MOC3081M 10毫安MOC3082M 5毫安MOC3083M ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
4.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，
和引脚4 ， 5和6是常见的。
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒（注4）
符号
V
ISO
民
7500
典型*
最大
单位
VAC （ PK）
2003仙童半导体公司
第11 3
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
包
MOC3082M
MOC3083M
概要
阳极1
6个主要的术语。
阴极2
5 NC *
N / C 3
零
路口
电路
*不要连接
（ TRIAC基板）
4主要名词。
描述
该MOC3081M ， MOC3082M和MOC3083M设备包括红外发光二极管光耦合到一个单片砷化镓
硅检测器进行零电压交叉双边双向可控硅驱动程序的功能。
它们被设计用于在逻辑系统到设备的接口的离散功率可控硅从240伏交流线供电，
如固态继电器，工业控制，电机，电磁阀及消费类电子产品等。
特点
美国保险商实验室（ UL ）的认可 - 网络文件＃ E90700 ，第2卷
VDE认可 - 网络文件＃ 102497 - 添加选项V（例如， MOC3083VM ）
简化网络连接的ES逻辑控制的240 VAC电源
零电压穿越
1500 V的dv / dt /μs的保证典型， 600 V / μs的
兼容飞兆半导体的FKPF12N80分立功率TRIAC
应用
螺线管/阀门控制
照明控制
静态电源开关
交流马达驱动器
温度控制
E.M.接触
交流电动机起动器
固态继电器
2003仙童半导体公司
分页： 11 1
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
结温范围
隔离浪涌电压
(4)
（峰值交流电压，60赫兹， 1秒持续时间）
器件总功耗@ 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
总功率耗散25 ° C环境
减免上述25℃
探测器
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流（ PW = 100微秒， 120 ，PPS）
总功率耗散@ 25 ° C环境
减免上述25℃
V
DRM
I
TSM
P
D
800
1
150
1.76
V
A
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
T
J
V
ISO
P
D
-40到+150
-40至+85
260 ，持续10秒
-40至+100
7500
250
2.94
°C
°C
°C
°C
VAC （ PK）
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第11 2
4/14/03
6引脚DIP零交叉
光隔离器可控硅驱动器输出
（ 800 VOLT PEAK ）
MOC3081M
MOC3082M
MOC3083M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向漏电流
探测器
高峰阻断电流，两个方向
断态电压临界上升率
V
DRM
= 800V ，我
F
= 0（注1 ）
I
F
= 0 （FI gure 9 ，注3）
I
DRM1
dv / dt的
600
10
1500
500
nA
V / μs的
I
F
= 30毫安
V
R
= 6 V
V
F
I
R
1.3
0.005
1.5
100
V
A
测试条件
符号
民
典型*
最大
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
主要终端
电压= 3V （注2 ）
I
TM
= 100 mA峰值，
I
F
=额定我
FT
符号
设备
MOC3081M
LED触发电流
峰值通态电压，
任一方向
保持电流，两个方向
I
FT
MOC3082M
MOC3083M
V
TM
I
H
所有
所有
1.8
500
民
典型*
最大
15
10
5
3
V
A
mA
单位
过零特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
抑制电压（ MT1 - MT2电压
以上这些设备将不会触发）
泄漏抑制状态
测试条件
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
,
V
DRM
= 800V ，关闭状态
符号
V
INH
I
DRM2
设备
所有
所有
民
典型*
12
200
最大
20
500
单位
V
A
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
*在T典型值
A
= 25°C
记
1.测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
2.所有设备都保证在触发的I
F
值小于或等于最大余
FT
。因此，推荐的工作我
F
谎
我最大的
FT
（15毫安MOC3081M 10毫安MOC3082M 5毫安MOC3083M ）和绝对最大值我
F
（60 mA）的。
3.这是静态的dv / dt 。参见图9为测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
4.隔离浪涌电压，V
ISO
，是一个内部设备绝缘击穿的评价。对于本试验中，引脚1和2是常见的，
和引脚4 ， 5和6是常见的。
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒（注4）
符号
V
ISO
民
7500
典型*
最大
单位
VAC （ PK）
2003仙童半导体公司
第11 3
4/14/03
