M29F040B
4兆位( 512KB X8 ,统一座)单电源闪存
初步数据
s
单5V
±
10%的电源电压
编程,擦除和读取操作
存取时间:为45nS
编程时间
- 每个字节的典型8μs
8均匀64K字节的内存块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
PLCC32 ( K)
TSOP32 ( N)
8× 20毫米
s
s
s
s
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
32
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码: E2H
A0-A18
19
1
PDIP32 (P)的
s
s
图1.逻辑图
s
s
VCC
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M29F040B
VSS
AI02900
1999年9月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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M29F040B
图2A 。 PLCC连接
图2B中。 TSOP连接
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29F040B
25
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI02901
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A12
A15
A16
A18
VCC
W
A17
1
32
8
9
M29F040B
25
24
16
17
AI02902
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图2C 。 PDIP连接
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8
25
M29F040B
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI02910
VCC
W
A17
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
E
G
W
V
CC
V
SS
概要说明
该M29F040B是4兆位( 512KB ×8 )的非易失性
存储器可被读取,擦除和重现
编程。这些操作可以执行US-
荷兰国际集团的单一5V电源。上电时,存储
默认为它的浏览模式,其中它可以读取在
以同样的方式作为ROM或EPROM 。该
M29F040B完全向后兼容
M29F040.
所述存储器被划分成块,可以是
独立地被擦除,因此,能够维持
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M29F040B
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
参数
工作环境温度(温度范围选项1 )
T
A
工作环境温度(温度范围选项6 )
工作环境温度(温度范围选项3 )
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
价值
0到70
-40到85
-40至125
-50至125
-65到150
-0.6 6
-0.6 6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护,以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。结束
编程或擦除操作,可以检测
并确定了所有错误。命令
控制内存所需的设定是一致的
符合JEDEC标准。
芯片使能,输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机,通常无需额外的逻辑。
提供在TSOP32内存( 8× 20毫米)
PLCC32和PDIP32封装。访问时间
为45nS , 55ns , 70ns的和为90ns可用。该
内存与所有擦除位提供(设置为
‘1’).
信号说明
参见图1 ,逻辑图和表1中,信号
名,对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入( A0 - A18 ) 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
内部状态机的命令接口。
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 ) 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到内部状态的命令接口
机。
芯片启用( E) 。
该芯片使能, E,激活
内存,允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能( G) 。
输出使能,G ,连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能( W) 。
写使能, W,控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作(读,亲
克,擦除等) 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压,
V
LKO
。这可以防止总线写操作,从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据,
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止, memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作,我
CC4
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。
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