富士通半导体
数据表
DS05-20881-3E
FL灰内存
CMOS
32M (4M
×
8/2M
×
16 ）位
双操作
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是32M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个2M或8位4M字节的内存
也就是说，每行16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统3.0V，
V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两个存储体，行1和行2，它可以被认为是两个
单独的存储阵列，据某些操作有关。这些设备都是一样的富士通
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入（或一个程序或擦除）操作
同时服用的其他银行的地方。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29DL32XTE/BE
80
—
80
80
30
—
90
90
90
35
—
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
48引脚塑料TSOP （ I）
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
)
（续）
在MBM29DL32XTE / BE，全新的设计理念得以实施，所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念， MBM29DL32XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 31.5兆， 4兆/ 28兆， 8兆/ 24兆， 16兆/ 16 MB。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ）和输出使能
（ OE ）控制。
该MBM29DL32XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 （如果已完全预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。该MBM29DL32XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制电源的损耗写操作。编程或擦除的结束是由数据检测
DQ的投票
7
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成，该装置内部复位到读模式。
该MBM29DL32XTE / BE的回忆同时电一个行业内的整个芯片或全部位擦除
通过福勒 - Nordhiem隧道。的字节/字进行编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
2
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
特点
0.23
m
工艺技术
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备（请参阅表1 ）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN - 正常弯曲型， TR - 反弯型）
63球FBGA （包后缀： PBT
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式八4K字和63字32K部门
八8K字节，并以字节方式63 64K字节扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM为64K字节，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
部门组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
类别组保护设置功能，通过扩展行业组保护命令
通过扩展指令快速编程功能
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构集团解除保护。
根据CFI （通用闪存接口）
*:
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
3
