M29W040
4兆位（ 512KB X8 ，统一座）
低压单电源闪存
不适用于新设计
M29W040被替换为M29W040B
2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
快速存取时间： 100ns的
字节编程时间： 12μs典型
擦除时间
- 块： 1.5秒典型
- 芯片： 2.5秒典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节
- 数据查询和触发位协议
P / E.C 。状态
以块存储器擦除
- 每64千字节8块制服
- 块保护
- 多块擦除
擦除挂起和恢复模式
低功耗
- 读取模式： 8毫安典型（在12MHz时）
- 待机模式： 20μA典型
- 自动待机模式
POWER DOWN软件命令
- 掉电模式：典型值1μA
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码： E3H
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
PLCC32 （ K）
TSOP32 （ N）
8× 20毫米
TSOP32 （ NZ ）
8× 14毫米
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M29W040
VSS
AI02074
1999年11月
这是不推荐用于新设计的产品还是信息productionbut 。
1/31
M29W040
图2A 。 LCC引脚连接
图2B中。 TSOP引脚连接
1 32
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
9
M29W040
25
17
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
AI02075
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A12
A15
A16
A18
VCC
W
A17
1
32
8
9
M29W040
（普通）
25
24
16
17
AI02076
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
图2C 。 TSOP反向引脚连接
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
1
32
8
9
M29W040
（反转）
25
24
16
17
AI02077
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
描述
该M29W040是一个非易失性存储器可
可以在块级电擦除和亲
编程逐字节。
该接口是用最MI-直接兼容
croprocessors 。 PLCC32 ， TSOP32 （8× 20毫米）和
TSOP32 （ 8× 14毫米）封装。两
正常和相反的引脚输出可用于
TSOP32 （8× 20毫米）封装。
组织
该FLASHMEMORY organisationis 512K ×8位，
地址线A0 - A18和数据输入/输出
DQ0 - DQ7 。存储器控制是由芯片提供
启用，输出使能和写使能输入。
擦除和编程是通过执行
内部编程/擦除控制器（ P / E.C ）。
数据输出位DQ7和DQ6提供轮询或
在自动编程或擦除切换信号
指示内部的就绪/忙状态
编程/擦除控制器。
内存块
存储器的擦除是在块中。有8个
每64千字节的内存块均匀
地址空间。每个块可以被编程
并删除超过10万次。每个统一
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M29W040
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO
(2)
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
A9电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 5
-0.6 5
-0.6至13.5
单位
°
C
°C
°
C
V
V
V
V
CC
V
A9
(2)
注意事项：
1.除评级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他
超出本规范的经营部门所标明的条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他
相关的质量文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于20ns 。
3.取决于范围。
块可以单独被保护和外部器件了
tected对编程和擦除。块擦除
可能会被暂停，而数据是从其它读
内存块，然后重新开始。
巴士业务
七操作可以通过了合来执行
priate总线周期，读阵列，电子阅读
签名，输出禁用，待机，保护座
解除保护座和收件的一个命令
指令。
命令接口
命令字节可以被写入到一个命令
接口（ CI ）闩锁进行读（从
阵列或电子签名） ，擦除或亲
编程。为了增加数据保护，命令
经过4个或6个周期的命令开始执行。该
第一，第二，第四和第五周期用于
输入的码序列给命令接口
（ C.I. ） 。这个序列是等于对所有的P / E.C 。指令
系统蒸发散。命令本身和它的确认 - 如果它
适用的 - 是在第三和第四或第六定
周期。
说明
8个指令定义进行复位，
阅读电子签名，自动编程，块
自动擦除，芯片自动清除，块擦除可持
挂起，块擦除恢复和关机。该
内部程序/ EraseController （ P / E.C 。 ）手柄
在编程和擦除所有的时间和验证
说明，并提供数据查询，切换和
状态数据表明计划完成，
擦除操作。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入的码序列与COM的
命令接口是通用于所有P / E.C 。
说明（见表7命令Descrip-
系统蒸发散） 。第三个周期的输入指令成立
命令指令到命令接口。
Subsequentcycles输出签名，保护座
化或读操作的处理数据。
为了增加数据保护，为亲说明
克和块或片擦除需要进一步的COM
命令的输入。对于程序指令，第四
指令周期输入的地址和数据被
编程。对于擦除指令（或块
芯片） ，在第四和第五个循环输入的另一个代码
擦除确认命令的前序
第六个周期。字节编程时间通常
12μs ，而擦除是典型的1.5节进行
OND 。
一个内存块的擦除可能被暂停，在
为了从另一个块中读取数据，然后
恢复。数据轮询，切换和错误的数据可能
可以在任何时候读取，包括编程过程中
明或擦除周期，监测的进展
在operation.When首次上电或V
CC
低于V
LKO
中，命令界面被重置为
读阵列。
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M29W040
表3.操作
手术
读
写
输出禁用
待机
注意：
X = V
IL
或V
IH
E
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
DQ0 - DQ7
数据输出
数据输入
高阻
高阻
表4.电子签名
CODE
厂家专业。代码
器件代码
E
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IH
A0
V
IL
V
IH
A1
V
IL
V
IL
A6
V
IL
V
IL
A9
V
ID
V
ID
其他
地址
不在乎
不在乎
DQ0 - DQ7
20h
E3h
表5块保护状态
CODE
受保护的座
未受保护的座
E
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IH
A0
V
IL
V
IL
A1
V
IH
V
IH
A6
V
IL
V
IL
A16
SA
SA
A17
SA
SA
A18
SA
SA
其他
地址
不在乎
不在乎
DQ0 - DQ7
01h
00h
注意：
被检查SA =地址块
设备操作
信号说明
地址输入（ A0 - A18 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化。经A9地址输入也可用于该
电子签名读取和块保护veri-
fication 。当A9提高到V
ID
，或者读
制造商代码，读取设备代码或验证
块保护dependingon的COM
bination上A0，A1和A6的水平。当A0 ， A1
和A6低，在ElectronicSignature制造
商代码读出，当A0为高A1和A6
是低电平时，器件的代码被读取，而当A1是
高A0和A6低，块保护
与保护/取消保护算法状态读
块由A16 ， A17 ， A18处理。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据输入是
一个字节要被编程或一个命令写入
该C.I.两者都锁定在芯片使能E和
写使能W为活性。的数据输出是由
所述存储器阵列，所述电子签名，所述
数据轮询位（ DQ7 ） ，触发位（ DQ6 ）时，
错误位（ DQ5 ）或擦除定时器位（ DQ3 ） 。 Ou-
看跌期权是有效的，当芯片使能E和输出
使G为活跃。的输出为高阻抗
当芯片被取消选择或输出是
禁用。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能激活
存储器控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和
感测放大器。 高deselectsthe内存和
降低功耗待机
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。地址然后
latchedon E的下降沿时数据被锁存
在E的芯片上升沿启动必须是
被迫V
ID
在阻止解除操作。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和块撤消操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令寄存器和地址和数据锁存器。
Addressesare latchedon W的fallingedge ，并
数据输入锁存W上的上升沿
V
CC
电源电压。
对于所有的电源
操作（读取，编程和擦除） 。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
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M29W040
表6说明
(1)
跨国公司。
INSTR 。
CYC 。
1+
RST
(3,9)
第一天幕。第二天幕。第三天幕。 4天幕。第五天幕。 6天幕。
地址。
(2,6)
数据
X
F0h
5555h
AAH
5555h
AAH
5555h
AAH
(2,6)
7天幕。
读存储器阵列，直到一个新的写周期开始。
读阵列/
RESET
3+
地址。
(2,6)
数据
2AAAh
55h
2AAAh
55h
2AAAh
55h
2AAAh
5555h
F0h
5555h
90h
5555h
90h
5555h
读存储器阵列，直到一个新的写
周期开始。
RSIG
(3)
读
电子
签名
读取块
保护
地址。
(2,6)
3+
数据
地址。
(2,6)
数据
地址。
阅读电子签名，直到一个新的
写周期被启动。见注4 。
RBP
(3)
3+
阅读块保护，直到一个新的写
周期开始。见注5 。
节目
地址读数据轮询或切换位
直到项目完成。
节目
数据
5555h
AAH
5555h
AAH
2AAAh
55h
2AAAh
55h
块
地址
30h
5555h
10h
另外
块
(7)
30h
注8
5555h
PG
节目
4
数据
(2,6)
AAH
55h
A0h
BE
块擦除
6
地址。
数据
5555h
AAH
5555h
AAH
2AAAh
55h
2AAAh
55h
5555h
80h
5555h
80h
CE
芯片擦除
6
地址。
(2,6)
数据
ES
抹去
暂停
1
地址。
数据
(2,6)
X
B0h
X
30h
5555h
20h
阅读切换到停止，然后读取所有从任何需要的数据
均匀的块（S ）不能被擦除，然后恢复擦除。
ER
抹去
简历
1
地址。
(2,6)
数据
读取数据轮询或切换位，直到完成擦除或擦除
暂停其他时间
PD
(10)
动力
下
1
地址。
(2,6)
数据
放内存掉电模式下功耗
消费量降低到通常小于1μA
注意事项：
1.命令在该表中未解释会默认读取阵列模式。
2， X =无关。
3.将RST ， RBP或RSIG指令的第一个周期之后的读操作来读取存储器阵列，状态寄存器或
电子签名的代码。任何数量的读周期的后一个命令周期可以发生。
4.签名地址位A0 ， A1 ， A6在V
IL
将输出制造商代码（ 20H） 。地址位A0在V
IH
和A1 ， A6在V
IL
将输出
设备代码。
5.保护地址： A0 ， A6在V
IL
， A1在V
IH
与A16 ， A17 ， A18均匀块内进行检查，将输出
块保护状态。
6.地址位A15- A18是不关心编码的地址输入。
7.可选，附加块的地址必须在经过最后一次写入一个条目延迟为80μs进入，超时状态可以验证
通过DQ3值。当完整的命令输入，读取数据轮询或切换位，直到擦除完毕或暂停。
8.读取数据轮询或切换位，直到擦除完成。
9.为5μs的等待时间是必要的复位命令后，如果内存在一个块擦除或关机状态，前
在开始任何操作。
10.写一个RST命令的P / E.C 。是之前的任何新的操作时，必须存储在掉电模式。
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