MIP514
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
导通状态电阻
漏源电压
漏极钳位电压
漏断电流1
漏断电流2
漏断电流3
输入阈值电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流（正常）
输入电流（在保护法）
*
过电流保护限制
（负载短路保护限制）
符号
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
V
DS （ CLP）
I
DS(OFF)1
I
DS(OFF)2
I
DS(OFF)3
V
第（IN）的
V
在（H）的
V
IN（L ）
I
IN（上）
I
IN（普罗特）
I
OCP
(V
SHT
)
条件
V
IN
=
5 V，I
DS
=
1 A
V
IN
=
5 V，I
DS
=
1 A
V
IN
=
0 V，I
DS
=
3毫安
V
IN
=
0 V, V
DS
=
12 V
V
IN
=
0 V, V
DS
=
25 V
V
IN
=
0 V, V
DS
=
40 V
V
DS
=
5 V，I
DS
=
1毫安
I
DS
=
1 A
I
DS
=
1毫安
V
IN
=
5 V, V
DS
=
0 V
V
IN
=
5 V
V
IN
=
5 V
2.5
(1.2)
0.2
0.45
4
(1.6)
1.2
4
0.8
0.5
1.00
45
民
典型值
0.3
0.3
57
0.01
0.02
0.08
1.8
5
8
10
3.0
V
V
V
mA
mA
A
(V)
最大
0.45
0.45
单位
V
V
A
注） 1。在导通状态时，漏极电压超过"Short电路负载保护voltage" ，输出电流开始振荡。
2.当漏极电压超过"drain钳voltage"输出的MOS打开，所以漏极电压的漏极之前被夹紧
源结成为击穿。
3. *：负载短路保护和过热保护（设计保证）的状态。
I
电气特性
（参考值：非保证值）
参数
截止温度过热
开启时间
打开-O FF时间
符号
T
SHD
t
ON
t
关闭
V
IN
=
5 V
V
DD
=
30 V ，R
L
=
30
I
DS
=
1 ，V
IN
=
5 V
条件
民
典型值
140
6
15
最大
单位
°C
s
注）如果芯片温度超过"over热保护temperature" ，输出电流被关断。而且，如果芯片凉爽
下来，保护会再次自动运行。
2
SLB00046AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
在这本书中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
彪如有下"Foreign在这本书中描述和控制的产品或技术
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在这本书中记载的技术信息是有限的，以显示出典型特征
和所施加的产品电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
产权或通过本公司或第三方拥有的任何其他权利，也没有授予任何许可。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或在这本书中所描述的技术。
（ 4 ）在这本书中介绍的产品旨在用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在这本书中介绍的产品和产品规格如有变更，恕不另行
蒂斯进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大的
额定值，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。否则，
我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）这本书可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年5月
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电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
导通状态电阻
漏源电压
漏极钳位电压
漏断电流1
漏断电流2
漏断电流3
输入阈值电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流（正常）
输入电流（在保护法）
*
过电流保护限制
（负载短路保护限制）
符号
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
V
DS （ CLP）
I
DS(OFF)1
I
DS(OFF)2
I
DS(OFF)3
V
第（IN）的
V
在（H）的
V
IN（L ）
I
IN（上）
I
IN（普罗特）
I
OCP
(V
SHT
)
条件
V
IN
=
5 V，I
DS
=
1 A
V
IN
=
5 V，I
DS
=
1 A
V
IN
=
0 V，I
DS
=
3毫安
V
IN
=
0 V, V
DS
=
12 V
V
IN
=
0 V, V
DS
=
25 V
V
IN
=
0 V, V
DS
=
40 V
V
DS
=
5 V，I
DS
=
1毫安
I
DS
=
1 A
I
DS
=
1毫安
V
IN
=
5 V, V
DS
=
0 V
V
IN
=
5 V
V
IN
=
5 V
2.5
(1.2)
0.2
0.45
4
(1.6)
1.2
4
0.8
0.5
1.00
45
民
典型值
0.3
0.3
57
0.01
0.02
0.08
1.8
5
8
10
3.0
V
V
V
mA
mA
A
(V)
最大
0.45
0.45
单位
V
V
A
注） 1。在导通状态时，漏极电压超过"Short电路负载保护voltage" ，输出电流开始振荡。
2.当漏极电压超过"drain钳voltage"输出的MOS打开，所以漏极电压的漏极之前被夹紧
源结成为击穿。
3. *：负载短路保护和过热保护（设计保证）的状态。
I
电气特性
（参考值：非保证值）
参数
截止温度过热
开启时间
打开-O FF时间
符号
T
SHD
t
ON
t
关闭
V
IN
=
5 V
V
DD
=
30 V ，R
L
=
30
I
DS
=
1 ，V
IN
=
5 V
条件
民
典型值
140
6
15
最大
单位
°C
s
注）如果芯片温度超过"over热保护temperature" ，输出电流被关断。而且，如果芯片凉爽
下来，保护会再次自动运行。
2
SLB00046AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
在这本书中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
彪如有下"Foreign在这本书中描述和控制的产品或技术
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在这本书中记载的技术信息是有限的，以显示出典型特征
和所施加的产品电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
产权或通过本公司或第三方拥有的任何其他权利，也没有授予任何许可。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或在这本书中所描述的技术。
（ 4 ）在这本书中介绍的产品旨在用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在这本书中介绍的产品和产品规格如有变更，恕不另行
蒂斯进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大的
额定值，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。否则，
我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）这本书可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年5月
