富士通半导体
数据表
DS05-20881-3E
FL灰内存
CMOS
32M (4M
×
8/2M
×
16 )位
双操作
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是32M位, 3.0 V-仅限Flash组织为每个2M或8位4M字节的内存
也就是说,每行16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统3.0V,
V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两个存储体,行1和行2,它可以被认为是两个
单独的存储阵列,据某些操作有关。这些设备都是一样的富士通
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入(或一个程序或擦除)操作
同时服用的其他银行的地方。
(续)
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29DL32XTE/BE
80
—
80
80
30
—
90
90
90
35
—
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
48引脚塑料TSOP ( I)
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
)
(续)
在MBM29DL32XTE / BE,全新的设计理念得以实施,所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念, MBM29DL32XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 31.5兆, 4兆/ 28兆, 8兆/ 24兆, 16兆/ 16 MB。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能(CE ),写使能(WE )和输出使能
( OE )控制。
该MBM29DL32XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机,它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
典型地,每个扇区可以被编程,并在大约0.5秒验证。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 (如果已完全预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程,而不会影响其他部门。该MBM29DL32XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制电源的损耗写操作。编程或擦除的结束是由数据检测
DQ的投票
7
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成,该装置内部复位到读模式。
该MBM29DL32XTE / BE的回忆同时电一个行业内的整个芯片或全部位擦除
通过福勒 - Nordhiem隧道。的字节/字进行编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
2
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
特点
0.23
m
工艺技术
可同时读/写操作(双行)
可使用不同大小的银行多台设备(请参阅表1 )
主机系统可以编程或擦除一家银行,然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0 V的读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP ( I) (包后缀: TN - 正常弯曲型, TR - 反弯型)
63球FBGA (包后缀: PBT
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式八4K字和63字32K部门
八8K字节,并以字节方式63 64K字节扇区
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
隐藏ROM (高-ROM )地区
的Hi- ROM为64K字节,通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护,以提供一个安全的电子序列号(ESN )
WP / ACC输入引脚
在V
IL
,使保护引导扇区,无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
,提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
部门组保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门团体的任何组合
类别组保护设置功能,通过扩展行业组保护命令
通过扩展指令快速编程功能
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构集团解除保护。
根据CFI (通用闪存接口)
*:
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。
3