上一代产品2.5kVrms隔离器更高支持耐压高达1200V功率器件
发布时间:2024/4/6 19:04:39 访问次数:695
Netsol串口MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序，因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。
它们适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。
全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。
主要功能
1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb密度
电源：1.8V（1.71V~1.98V）或3.3V（2.7V~3.6V）
兼容SDR和DDR串行接口的单、双和四SPI
数据保留期：10年
读取耐久性：无限
写入耐久性：1014
无需外部ECC
行业标准引脚和封装：8WSON、8SOP
栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。
它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。
为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。
新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。
Netsol串口MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序，因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。
它们适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。
全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。
主要功能
1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb密度
电源：1.8V（1.71V~1.98V）或3.3V（2.7V~3.6V）
兼容SDR和DDR串行接口的单、双和四SPI
数据保留期：10年
读取耐久性：无限
写入耐久性：1014
无需外部ECC
行业标准引脚和封装：8WSON、8SOP
栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。
它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。
为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。
新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。
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