ZXTC2062E6
绝对最高和热额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
（ C） （F ）
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
A
=25°C
（一）（六）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（ B） （G ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到环境
（一）（六）
热阻结到环境
（B ） （F ）
热阻结到环境
（ B） （G ）
热阻结到环境
（ C） （F ）
热阻结到环境
（D ） （F ）
T
j
, T
英镑
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
100(-25)
(-)20
5(-4)
(-)7
4(-3.5)
(-)10
(-)1
0.7
5.6
0.9
7.2
1.1
8.8
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
179
139
113
113
73
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（三）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ d）由于上述测定t<5秒。
（五）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗
图。
（六）为设备与一个主动裸芯片，都收集器连接到一个共同的接收器。
（七）对于设备有两个活跃的骰子运行在相同的功率，分流沉50 ％，至每个收集器。
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
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电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
100(-25)
(-)20
典型值。
140(-55)
35(-45)
马克斯。
单位条件
V
I
C
= (-)100 A
V
I
C
= （ - ） 10毫安
(*)
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECO
(-)7
5(-4)
(-)8.3
6(-8.5)
V
V
I
E
= (-)100 A
I
E
= (-)100 A
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
40(-55)
60(-100)
(-190)
140
(-)50
(-)0.5
(-)50
50(-65)
75(-135)
(-250)
190
(-1000)
1050
(-900)
900
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
CB
=100(-25)V
V
CB
= 100 （ -25 ） V，T
AMB
= 100°C
V
EB
= (-)5.6V
I
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ）百毫安
(*)
I
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ） 20毫安
(*)
I
C
= （ - ） 2A，我
B
= （ - ） 40毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，我
B
= -175mA ）
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 200毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，我
B
= -175mA
(*)
)
I
C
= 4A ，我
B
= 200毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= （ - ） 10毫安，V
CE
= (-)2V
(*)
I
C
= （ - ） 1A ，V
CE
= (-)2V
(*)
(I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
(I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
95(-185) 115(-280)
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
(-925)
940
(-835)
810
280(170) 420(300)
(65)
140
(100)
210
(15)
15
300(300) 450(450) 900(900)
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
215
(290)
17(21)
68(56)
72(68)
361(158)
64(59)
25(30)
兆赫我
C
= （ - ） 50毫安，V
CE
= (-)10V
F = 100MHz的
pF
ns
ns
ns
ns
V
CC
= （ - ） 10V。我
C
= (-)1A,
I
B1
= -I
B2
= （ - ） 10毫安。
V
CB
= （ - ） 10V ， F = 1MHz的
(*)
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）= PNP
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绝对最高和热额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
（ C） （F ）
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
A
=25°C
（一）（六）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（ B） （G ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到环境
（一）（六）
热阻结到环境
（B ） （F ）
热阻结到环境
（ B） （G ）
热阻结到环境
（ C） （F ）
热阻结到环境
（D ） （F ）
T
j
, T
英镑
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
100(-25)
(-)20
5(-4)
(-)7
4(-3.5)
(-)10
(-)1
0.7
5.6
0.9
7.2
1.1
8.8
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
179
139
113
113
73
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（三）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ d）由于上述测定t<5秒。
（五）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗
图。
（六）为设备与一个主动裸芯片，都收集器连接到一个共同的接收器。
（七）对于设备有两个活跃的骰子运行在相同的功率，分流沉50 ％，至每个收集器。
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电气特性（在环境温度Tamb = 25° C除非另有说明） 。
参数
符号
分钟。
100(-25)
(-)20
典型值。
140(-55)
35(-45)
马克斯。
单位条件
V
I
C
= (-)100 A
V
I
C
= （ - ） 10毫安
(*)
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECO
(-)7
5(-4)
(-)8.3
6(-8.5)
V
V
I
E
= (-)100 A
I
E
= (-)100 A
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
40(-55)
60(-100)
(-190)
140
(-)50
(-)0.5
(-)50
50(-65)
75(-135)
(-250)
190
(-1000)
1050
(-900)
900
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
CB
=100(-25)V
V
CB
= 100 （ -25 ） V，T
AMB
= 100°C
V
EB
= (-)5.6V
I
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ）百毫安
(*)
I
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ） 20毫安
(*)
I
C
= （ - ） 2A，我
B
= （ - ） 40毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，我
B
= -175mA ）
(*)
I
C
= 4A ，我
B
= 200毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，我
B
= -175mA
(*)
)
I
C
= 4A ，我
B
= 200毫安
(*)
(I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= （ - ） 10毫安，V
CE
= (-)2V
(*)
I
C
= （ - ） 1A ，V
CE
= (-)2V
(*)
(I
C
= -3.5A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 4A ，V
CE
= 2V
(*)
(I
C
= -10A ，V
CE
= -2V
(*)
)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
95(-185) 115(-280)
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
(-925)
940
(-835)
810
280(170) 420(300)
(65)
140
(100)
210
(15)
15
300(300) 450(450) 900(900)
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
215
(290)
17(21)
68(56)
72(68)
361(158)
64(59)
25(30)
兆赫我
C
= （ - ） 50毫安，V
CE
= (-)10V
F = 100MHz的
pF
ns
ns
ns
ns
V
CC
= （ - ） 10V。我
C
= (-)1A,
I
B1
= -I
B2
= （ - ） 10毫安。
V
CB
= （ - ） 10V ， F = 1MHz的
(*)
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）= PNP
第1期 - 2007年10月
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