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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第1页 > ZMY33
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
1
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
2
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
3
2007年8月3日MAM
由赛米控
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1,3W ）
绝对最大额定值
符号条件
值
单位
表面贴装二极管
齐纳二极管芯片
ZMY 1 ... ZMY 200
最大功率
耗散： 1,3 W
标称的Z-电压：1至200伏
特点
机械数据
1)
2)
3)
1
2006年10月3日MAM
由赛米控
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （1.0 W）的
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
Version 2006-04-27
ZMY ...摹平面
ZMY ...非平面
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
3.0...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
玻璃柜 - Glasgehuse MELF
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
TYPE
典型值
5.0
5.0
TYPE
典型值
塑料外壳 - Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
0.4
尺寸
- 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
0.5
Grenz- UND Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
T
A
= 50°C
P
合计
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K / W
1
)
< 70 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZMY1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZMY1
3
)
ZMY3.0G
ZMY3.3G
ZMY3.6G
ZMY3.9G
ZMY4.3G
ZMY4.7G
ZMY5.1G
ZMY5.6G
ZMY6.2G
ZMY6.8G
ZMY7.5G
ZMY8.2G
ZMY9.1G
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
ZMY120
ZMY130
ZMY150
ZMY160
ZMY180
ZMY200
0.71
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[]
0.5 （小于1）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–8…+1
–8…+1
–8…+1
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1
μA
V
R
[V]
–
–
> 0.7 / 150 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 50 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.5 / 3 μA
> 1.5 / 500 nA的
>五百分之二nA的
> 500分之3 nA的
> 500分之6 nA的
> 500分之7 nA的
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
313
286
263
244
217
200
185
167
152
139
127
115
104
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
死在Durchlass betriebene硅二极管ZMY1 IST EINE 。贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten IST DER指数“ F”斯塔特“Z”祖setzen
2
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
ZMY3.9 - ZMY100
V
Z
:
3.9至100V
P
D
:
1W
产品特点：
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
更高的额定功率。
这些二极管也可在DO- 41可用
案件的类型名称ZPY3.6 ... ZPY100 。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
MELF
阴极标记
φ
0.102 (2.6)
0.094 (2.4)
0.022(0.55)
0.205(5.2)
0.189(4.8)
贴装焊盘布局
0.157 (4.00)
马克斯。
机械数据：
*案例： MELF玻璃柜
*重量0.25克（约）
0.049 （ 1.25 ）最低。
0.118 （ 3.00 ）最低。
0.256 (6.50)
REF
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗
热阻结到环境空气
热阻结到外壳（典型值）。
结温
存储温度范围
注：（1 ）有效的规定，电极被保持在环境温度
（评分25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
P
D
R
θ
JA
R
θJC
T
J
T
S
价值
1
(1)
170
(1)
60
175
-65到+ 175
单位
W
° C / W
° C / W
°C
°C
第1页4
启示录03 ： 2005年5月11日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
动态
齐纳电压
(1)
在我
ZT
阻力位
TYPE
温度。 COEFF 。的
齐纳电压在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向电压
在我
R
=0.5A
V
R
V
R
(V)
-
-
-
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
Asmissible
齐纳电流
(2)
I
Z
（MA ）
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
V
z
(V)
分钟。
马克斯。
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
I
ZT
中，f = 1kHz时
RZJ （ Ω ）
4(<7)
4(<7)
4(<7)
2(<5)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
2(<4)
2(<4)
3(<7)
3(<7)
4(<9)
4(<9)
5(<10)
5(<11)
6(<12)
7(<13)
8(<14)
9(<15)
10(<20)
11(<20)
25(<60)
30(<60)
35(<80)
40(<80)
45(<100)
50(<100)
60(<130)
65(<130)
70(<160)
80(<160)
120(<250)
130(<250)
α
VZ
(10
-4
/
°
C)
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
注：（ 1 ）测试与脉冲TP = 5ms的
（2）有效的规定，电极被保持在环境温度
在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但同时功耗器件看到类型ZMU100 ... ZMU180
第2页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
240
ZMY3.9
ZMY4.7
T
J
= 25°C
200
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY5.6
160
ZMY6.8
ZMY8.2
120
测试电流IZ
100mA
ZMY10
ZMY12
80
50mA
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
Z
，齐纳电压（伏）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
60
ZMY15
ZMY18
ZMY22
T
J
= 25°C
50
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY27
40
ZMY33
测试电流IZ
25mA
30
ZMY39
ZMY47
20
10mA
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
第3页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
20
ZMY56
T
J
= 25°C
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY68
测试电流IZ
10mA
ZMY82
ZMY100
10
5mA
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
V
Z
，齐纳电压（伏）
功耗温度降额曲线
1.2
1.0
P
D
，最大耗散
（瓦特）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TA ，环境温度（ ° C）
第4页4
启示录03 ： 2005年5月11日
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
对于稳定和削波电路与高额定功率的使用
密封式玻璃硅二极管
标记：随着阴极频带
绝对最大额定值（T
a
=25C)
描述
功耗
非重复性峰值功率Disspation ，
吨<10ms
结温
存储温度范围
热特性
结到环境中的自由空气
符号
*P
D
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
1.3
5.0
175
- 55 +175
单位
W
W
°C
°C
*R
号（j -a）的
TEST
当前
115.3
V
F
<1.2V在200毫安
反向
电压
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
>0.5
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
K / W
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
温度。 COEFF 。的
装置＃
动态
**齐纳电压
齐纳电压。
阻力
在我
Z
TEST
在我
Z
TEST
V
Z
在我
ZT
f=1kHz
(V)
r
zj
()
α
V
Z
10
-4
/K
民
最大
最大
-7…..+4
ZMY4.7
4.4
5.0
7
-6…..+5
4.8
5.4
5
ZMY5.1
-3…..+5
5.2
6.0
2
ZMY5.6
-1…..+6
5.8
6.6
2
ZMY6.2
0…..7
ZMY6.8
6.4
7.2
2
0…..7
7.9
2
ZMY7.5
7.0
+3…..+8
8.7
2
ZMY8.2
7.7
+3…..+8
9.6
4
ZMY9.1
8.5
+5…..+9
ZMY10
9.4
10.6
4
+5…..+10
11.6
7
ZMY11
10.4
+5…..+10
12.7
7
ZMY12
11.4
ZMY13
12.4
14.1
9
+5…..+10
ZMY15
13.8
15.8
9
+5…..+10
ZMY16
15.3
17.1
10
+7…..+11
ZMY18
16.8
19.1
11
+7…..+11
ZMY20
18.8
21.2
12
+7…..+11
ZMY22
20.8
23.3
13
+7…..+11
ZMY24
22.8
25.6
14
+7…..+12
ZMY27
25.1
28.9
15
+7…..+12
+7…..+12
ZMY30
28.0
32.0
20
ZMY33
31.0
35.0
20
+7…..+12
ZMY36
34.0
38.0
60
+7…..+12
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
在我
Z
TEST
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
*容许
齐纳电流
在我
Z
TEST
（MA ）
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
数据表
第1页4
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
电气特性（T
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
装置＃
**齐纳电压
V
Z
在我
ZT
(V)
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
民
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
77.0
85.0
94.0
最大
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
88.0
96.0
106
动态
阻力
在我
Z
TEST
r
zj
()
最大
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
温度。 COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
TEST
-4
α
V
Z
10 /K
V
F
<1.2V在200毫安
*容许
反向
齐纳电流
电压
在我
Z
TEST
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
（MA ）
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
TEST
当前
在我
Z
TEST
（MA ）
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
+8…..+12
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+9…..+13
+9…..+13
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
组件处置说明
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求讨
处置按照当时的自己国家的环境立法。
2.
在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子
电子设备（WEEE ） 。
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
客户注意事项
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的半导体器件（ S）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，以
确认设备（S ）满足功能参数，为您的应用程序。装修中的数据表中的信息和
在CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担责任
不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，所引起的应用程序
或使用任何CDIL产品;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品是
不用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品（无论是作为个人
半导体分立器件或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或
应用这样做在自己的风险和CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
数据表
第4页4
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （1.0 W）的
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
硅齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2011-10-17
ZMY ...摹平面
ZMY ...非平面
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
3.0...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
玻璃柜 - Glasgehuse MELF
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
TYPE
典型值
5.0
5.0
TYPE
典型值
塑料外壳 - Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
0.4
尺寸
- 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ ± 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - 德奥合并
23
0.5
Grenz- UND Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
T
A
= 25°C
P
合计
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K / W
1
)
< 70 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
合计
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
T
J
T
S
R
THA
R
THT
1
2
3
安装在P.C。板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
该ZMY1是在前进模式中操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
死在Durchlass betriebene硅二极管ZMY1 IST EINE 。贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten IST DER指数“ F”斯塔特“Z”祖setzen
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spannung
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V]
ZMY1
3
)
ZMY3.0G
ZMY3.3G
ZMY3.6G
ZMY3.9G
ZMY4.3G
ZMY4.7G
ZMY5.1G
ZMY5.6G
ZMY6.2G
ZMY6.8G
ZMY7.5G
ZMY8.2G
ZMY9.1G
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
ZMY120
ZMY130
ZMY150
ZMY160
ZMY180
ZMY200
0.71
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
V
ZMAX
[V]
0.82
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试电流
Mestrom
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
动态电阻
差异。 Widerstand
I
ZTEST
/ F = 1kHz的
r
zj
[Ω]
0.5 （小于1）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
5 （ <8 ）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- Spannung
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–8…+1
–8…+1
–8…+1
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 μA
V
R
[V]
–
–
> 0.7 / 150 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 100 μA
> 0.7 / 50 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.7 / 10 μA
> 0.5 / 3 μA
> 1.5 / 500 nA的
>五百分之二nA的
> 500分之3 nA的
> 500分之6 nA的
> 500分之7 nA的
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Grenzwerte
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
313
286
263
244
217
200
185
167
152
139
127
115
104
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
2
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
ZMY3.0G ... ZMY9.1G （ 1.0 W） ， ZMY1 ， ZMY10 ... ZMY200 （ 1.3 W ）
120
[%]
100
ZMY10...200
150
[马]
100
I
Z
= 100毫安
5,1
4,7
4,3
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
80
60
ZMY3.0G...9.1G
3,9
50
3,6
3,3
3,0
I
Z
= 50毫安
40
I
Z
0
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
0
V
Z
4
5
7
2
3
6
8
[V]
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
10
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
T
j
= 25°C
1
I
ZMAX
10
-1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
T
j
= 25°C
I
ZT
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
典型的击穿特性
- 测试与脉冲
Typische Abbruchspannung
- gemessen MIT Impulsen
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
[ pF的]
ZMY3.0G...9.1G
T
j
= 25°C
F = 1.0 MHz的
V
R
= 0V
ZMY10...200
C
j
V
Z
[V]
结电容与齐纳电压（典型值）
Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。 （典型值）。
德欧泰克半导体公司
http://www.diotec.com/
3
ZMY3V9到ZMY100
www.vishay.com
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于stablilizing使用和削波电路
高功率等级
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。较小的电压
公差可根据要求提供
这些二极管也可在DO- 41可用
案件的类型名称ZPY3V9到ZPY100
AEC- Q101标准
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
3.9至100
5-100
脉冲电流
单身
单位
V
mA
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
订购信息
设备名称
ZMY3V9到ZMY100
ZMY3V9到ZMY100
订购代码
ZMY3V9到ZMY100系列- GS18
ZMY3V9到ZMY100系列- GS08
每卷胶带单位
5 000（上13"轮12毫米磁带）
1 500 （上7"轮12毫米磁带）
最小起订量
10 000 /盒
12000个/箱
包
包名称
MELF DO- 213AB （玻璃）
重量
135毫克
模塑料湿度敏感度
可燃性等级
水平
符合UL 94 V -0
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结到环境的情况下
结温，最大
存储温度范围
测试条件
有效的条件是电极被保持在
环境温度
请参阅表“特色”
有效的条件是电极被保持在
环境温度
R
thJA
R
thJC
T
j
T
英镑
170
60
175
- 55 + 175
K / W
K / W
°C
°C
符号
P
合计
价值
1000
单位
mW
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
1
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ZMY3V9到ZMY100
www.vishay.com
威世半导体
动态
阻力
F = 1千赫
Z
Z
在我
ZT1
马克斯。
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
典型值。
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
可受理
齐纳
当前
(1)
I
Z
mA
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT1
10
-4
/°C
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(2)
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
喃。马克斯。
3.9
4.1
4.3
4.6
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
TEST
当前
I
ZT1
mA
V
反向
电压
V
R
在我
R
μA
笔记
(1)
有效的条件是电极被保持在环境温度
(2)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.9 ， 06日-12月11
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2
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ZMY3V9到ZMY100
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
Ω
10
3
5
4
3
2
威世半导体
ZMY ...
W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
ZMY ...
r
zj
10
2
ZMY5.1
5
4
3
2
P
合计
ZMY4.3
ZMY18
ZMY12
10
5
4
3
2
ZMY6.2
ZMY10
ZMY7.5
2
3 4 5
7
1
1
18312
2
0
0
19969
3 4 5 7
10
百毫安
100
T
AMB
200 °C
I
Z
图。 1 -
动态电阻与齐纳电流
图。 4 -
受理的功耗与环境温度
Ω
100
7
5
4
3
2
ZMY ...
° C / W
10
3
5
4
3
2
ZMY ...
r
zj
r
THA
ZMY43
10
2
5
4
3
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V
=0
-4
10
7
5
4
3
2
ZMY36
ZMY30
ZMY24
ZMY22
10
5
4
3
2
ZMY18
t
P
v
=
T
P
___
t
T
P
I
1
1
1
18313
2
3 4 5
10
2
3 4 5
百毫安
18286
10
-5
10
10
-3
10
-2
10
-1
t
P
1
10 s
I
Z
图。 2 -
动态电阻与齐纳电流
图。 5 -
脉冲热电阻与脉冲宽度
Ω
10
3
7
5
4
3
2
ZMY ...
mA
240
200
I
Z
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
160
120
百毫安
80
50毫安
测试电流l
Z
ZMY3.9 ZMY4.7
ZMY5.6
ZMY6.8
ZMY8.2
ZMY10
ZMY ...
T
j
= 25 °C
r
zj
10
2
7
5
4
3
2
ZMY12
40
0
2
3 4 5
10
0.1
18314
1
2
3 4 5
10毫安
18309
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
Z
10 11 12 13 14 15
V
I
Z
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
击穿特性
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
3
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ZMY3V9到ZMY100
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威世半导体
mA
20
ZMY56
mA
60
50
I
Z
40
30
20
10毫安
测试电流l
Z
25毫安
ZMY ...
ZMY15
ZMY18
ZMY22
ZMY27
ZMY33
ZMY39
ZMY47
T
j
= 25 °C
ZMY ...
TJ = 25 C
I
Z
测试电流l
Z
10毫安
ZMY68
ZMY82
ZMY100
10
5毫安
10
0
0
18310
0
5
10
15
20
25
30
V
Z
35
40
45 50
V
18311
0
50
100
150
V
Z
200
V
图。 7 -
击穿特性
图。 8 -
击穿特性
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MELF DO- 213AB （玻璃）
2.6 (0.102)
阴极鉴定
2.4 (0.094)
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 (0.049)
分钟。
4.00 (0.157)
马克斯。
3.00 (0.118)
6.50 (0.256)
18317
REF 。
修订版1.9 ， 06日-12月11
文档编号： 85788
4
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分钟。
法律免责声明
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日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管。
对于stablilizing使用和削波电路
高额定功率。
齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。更小的电压容
元代可根据要求提供。
这些二极管也可在DO- 41的情况下可
同类型指定ZPY1 ... ZPY100 。
18315
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 135毫克
包装代码/选项：
GS18 / 5K，每13 "卷轴（12毫米磁带） ， 10 K /盒
GS08 / 1.5 7 "卷轴（12毫米磁带） ， 12 K /盒
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表
"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
符号
价值
单位
P
合计
1.0
1)
W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境温度（最大）
热阻结到
情况下（典型值）
结温
储存温度
1)
测试条件
符号
R
thJA
R
thJC
T
j
T
S
价值
170
1)
60
175
- 55 + 175
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
www.vishay.com
1
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
电气特性
部分号码
齐纳电压（ 2）
动态电阻
温度COEF网络cient
齐纳电压
α
VZ
@ I
ZT
10
-4
/°C
典型值
7
7
7
5
2
2
2
2
2
4
4
7
7
9
9
10
11
12
13
14
15
20
20
60
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
250
4
4
4
2
1
1
1
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
7
8
9
10
11
25
30
35
40
45
50
60
65
70
80
120
130
150
民
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
9
最大
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
-
-
-
0.7
1.5
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
32
35
38
42
47
51
56
61
68
75
82
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
6.4
TEST
当前
I
ZT
mA
反向
电压
V
R
@
I
R
= 0.5
A
V
可受理
齐纳
电流（ 1）
I
Z
@
T
AMB
=25°C
mA
V
Z
@ I
ZT
V
民
ZMY3V9
ZMY4V3
ZMY4V7
ZMY5V1
ZMY5V6
ZMY6V2
ZMY6V8
ZMY7V5
ZMY8V2
ZMY9V1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
ZMY110
1)
2)
r
zj
@ I
ZT
中，f = 1千赫
最大
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
有效的条件是电极被保持在环境温度
测试了脉冲吨
p
= 5毫秒
该ZMY1是向前direction.Hence经营的硅二极管，所有的特征和最大额定值的指数应该是"F"instead
的"Z" 。阴极端子连接至所述负极。在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但相同的功率显示设备
sipation看到类型ZMU100 ... ZMU180
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2
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
18312
18289
图1.动态电阻与齐纳电流
图4.容许功耗与环境温度
18313
18286
图2.动态电阻与齐纳电流
图5.脉冲热电阻与脉冲宽度
ZMY100
ZMY82
ZMY68
ZMY56
ZMY43
18314
图3.动态电阻与齐纳电流
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
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3
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18309
图6.击穿特性
18310
图7.击穿特性
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4
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
ZMY3V9到ZMY110
威世半导体
18311
图8.击穿特性
单位：mm包装尺寸（英寸）
4.00 (0.157)
最大
ISO方法E
阴极标记
2.6 (0.102)
2.4 (0.094)
1.25
(0.049)
民
3.00 (0.118)
民
0.55 (0.022)
5.2 (0.205)
4.8 (0.189)
6.50 (0.256)
REF
18317
文档编号85788
修订版1.5 12 -JAN- 05
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5
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
（非平面技术）的
版本2004-05-13
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.5
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
1.3 W
1…200 V
DO-213AB
0.12 g
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
5.0
TYPE
典型值
0.5
0.5
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
参见第18页
世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
的非平面齐纳二极管的优点：
改进的钳位能力
增加最大。齐纳电流I
ZMAX
与等离子EPOS技术生产芯片
模压塑料多钝化结
Vorteile DER flchendiffundierten齐纳Dioden ：
霍厄Impulsfestigkeit
达赫最大。 Arbeitsstrom我
ZMAX
在等离子EPOS - TECHNOLOGIE芯片hergestellt
Passivierte芯片IM Plastik公司- Gehuse
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - Kontaktflche
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
1.3 W
1
)
40 W
– 50...+150°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
1
）安装在交媾板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的ZMY 1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白圈指示的是将要连接到负极。
死在Durchla betriebene硅二极管ZMY 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登WEISSEN环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
210
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Sspanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
Me-
斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 （小于1）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
317
283
260
241
217
197
181
165
149
135
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
ZMY 1
3
)
ZMY 3.9
ZMY 4.3
ZMY 4.7
ZMY 5.1
ZMY 5.6
ZMY 6.2
ZMY 6.8
ZMY 7.5
ZMY 8.2
ZMY 9.1
ZMY 10
ZMY 11
ZMY 12
ZMY 13
ZMY 15
ZMY 16
ZMY 18
ZMY 20
ZMY 22
ZMY 24
ZMY 27
ZMY 30
ZMY 33
ZMY 36
ZMY 39
ZMY 43
ZMY 47
ZMY 51
ZMY 56
ZMY 62
ZMY 68
ZMY 75
ZMY 82
ZMY 91
ZMY 100
ZMY 110
ZMY 120
ZMY 130
ZMY 150
ZMY 160
ZMY 180
ZMY 200
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
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