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首字符Z的型号第1页
> ZVP2110G
SOT223 p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
DS
* R
DS （ ON）
=8
7
ZVP2110G
D
互补式？ ZVN2110G
PARTMARKING详细信息？ ZVP2110
G
D
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-100
-310
-3
±
20
单位
V
mA
A
V
W
°C
2
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
-750
8
125
100
35
10
7
15
12
15
-100
-1.5
-3.5
20
-1
-100
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
ID = -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-100 V, V
GS
=0
V
DS
=-80 V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-375mA
V
DS
=-25V,I
D
=-375mA
mA
静态漏源导通国家科研
DS （ ON）
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-375mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
3 - 429
ZVP2110G
典型特征
250
-1.6
- 漏电流（安培）
克-Transconductance （MS ）
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
V
GS
=
-20V
-16V
-12V
-10V
-9V
-8V
-7V
200
150
V
DS =
-10V
100
-0.6
-0.4
-0.2
-6V
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
0
-2
-4
-6
-8
-10
50
BI
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
I
0
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
跨导V栅源电压
饱和特性
-Gate源极电压（伏特）
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
80
I
D=-
0.5A
V
DS
=
-25V -50V -100V
C-电容（pF ）
60
C
国际空间站
40
20
C
0
0
-20
-40
-60
-80
OSS
C
RSS
-100
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
V
5
/
Q-栅极电荷（ NC）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
- 漏源导通电阻
100
2.6
2.4
和V
V
GS
=-4V
-5V
10
2.2
2.0
1.8
1.6
V
GS =
-10V
I
D=
-0.375A
-7V
-10V
归一化
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
-20V
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
1
10
100
1000
R
I
D-
漏极电流（mA ）
结温（ ° C）
导通电阻V漏极电流
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3 - 430
SOT223 p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 100伏V
DS
* R
DS （ ON）
=8
7
ZVP2110G
D
互补式？ ZVN2110G
PARTMARKING详细信息？ ZVP2110
G
D
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-100
-310
-3
±
20
单位
V
mA
A
V
W
°C
2
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
通态漏电流（ 1 ）
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
-750
8
125
100
35
10
7
15
12
15
-100
-1.5
-3.5
20
-1
-100
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
I
D
= -1mA ，V
GS
=0V
ID = -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-100 V, V
GS
=0
V
DS
=-80 V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=-25 V, V
GS
=-10V
V
GS
=-10V,I
D
=-375mA
V
DS
=-25V,I
D
=-375mA
mA
静态漏源导通国家科研
DS （ ON）
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-375mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
3 - 429
ZVP2110G
典型特征
250
-1.6
- 漏电流（安培）
克-Transconductance （MS ）
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
V
GS
=
-20V
-16V
-12V
-10V
-9V
-8V
-7V
200
150
V
DS =
-10V
100
-0.6
-0.4
-0.2
-6V
-5V
-4.5V
-4V
-3.5V
0
-2
-4
-6
-8
-10
50
BI
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
I
0
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
跨导V栅源电压
饱和特性
-Gate源极电压（伏特）
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
80
I
D=-
0.5A
V
DS
=
-25V -50V -100V
C-电容（pF ）
60
C
国际空间站
40
20
C
0
0
-20
-40
-60
-80
OSS
C
RSS
-100
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
V
5
/
Q-栅极电荷（ NC）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
- 漏源导通电阻
100
2.6
2.4
和V
V
GS
=-4V
-5V
10
2.2
2.0
1.8
1.6
V
GS =
-10V
I
D=
-0.375A
-7V
-10V
归一化
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
-20V
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
1
10
100
1000
R
I
D-
漏极电流（mA ）
结温（ ° C）
导通电阻V漏极电流
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3 - 430
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ZVP2110G
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