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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第1页 > ZMY5.6
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
表面贴装硅稳压二极管
（非平面技术）的
版本2004-05-13
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
2.5
Flchendiffundierte硅齐纳Dioden
献给死去Oberflchenmontage
1.3 W
1…200 V
DO-213AB
0.12 g
标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung
塑料外壳MELF
Kunststoffgehuse MELF
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
5.0
TYPE
典型值
0.5
0.5
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
参见第18页
世赫页首18
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。
其它电压容差和要求较高的齐纳电压。
死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen
Reihe街上E 24 （ 5 ％ ） 。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。
的非平面齐纳二极管的优点：
改进的钳位能力
增加最大。齐纳电流I
ZMAX
与等离子EPOS技术生产芯片
模压塑料多钝化结
Vorteile DER flchendiffundierten齐纳Dioden ：
霍厄Impulsfestigkeit
达赫最大。 Arbeitsstrom我
ZMAX
在等离子EPOS - TECHNOLOGIE芯片hergestellt
Passivierte芯片IM Plastik公司- Gehuse
最大额定值和特性
功耗 - Verlustleistung
不重复峰值功耗， T＆ LT ; 10毫秒
Einmalige IMPULS - Verlustleistung ， T＆ LT ; 10毫秒
工作结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到终端
Wrmewiderstand Sperrschicht - Kontaktflche
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
P
ZSM
T
j
T
S
R
THA
R
THT
1.3 W
1
)
40 W
– 50...+150°C
– 50...+175°C
＆ LT ; 45 K / W
1
)
＆ LT ; 10 K / W
1
）安装在交媾板与50毫米
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院50毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
3
）的ZMY 1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极，由一个白圈指示的是将要连接到负极。
死在Durchla betriebene硅二极管ZMY 1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数
“F” anstatt “Z”祖setzten 。死第三人以登WEISSEN环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。
210
ZMY 1 ... ZMY 200 （ 1.3 W ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Sspanng 。
2
)
I
Z
= I
ZTEST
V
ZMIN
[V] V
ZMAX
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
116
127
141
156
171
191
212
测试CUR 。
Me-
斯特罗姆
I
ZTEST
[马]
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
达因。阻力
差异。 Widerst 。
I
ZTEST
/ 1千赫
r
zj
[]
0.5 （小于1）
4 （小于7）
4 （小于7）
4 （小于7）
2 （小于5）
1 （小于3）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
1 （ 2 ）
2 （小于4）
2 （小于4）
4 （小于7）
4 （小于7）
5 （小于10）的
5 （小于10）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
6 （小于15）的
7 （小于15）的
7 （小于15）的
8 （小于15）的
8 （小于15）的
16 （ <40 ）
20 （小于40）的
24 （ <45 ）
24 （ <45 ）
25 （小于60）的
25 （小于60）的
25 （小于80）的
25 （小于80）的
30 （小于100）
30 （小于100）
40 （ <200 ）
60 （ <200 ）
80 （ <250 ）
80 （ <250 ）
90 （ <300 ）
100 （ <300 ）
110 （ <350 ）
120 （小于350）
150 （小于350）
温度。 Coeffiz 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
–26…–16
–7…+2
–7…+3
–7…+4
–6…+5
–3…+5
–1…+6
0…+7
0…+7
+3…+8
+3…+8
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
Grenzwerte
反向电压。
Sperrspanng 。
I
R
= 1 A
V
R
[V]
–
–
–
–
–
＆ GT ; 1.5
＆ GT ; 1.5
>2
>2
＆ GT ; 3.5
＆ GT ; 3.5
>5
>5
>7
>7
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 10
＆ GT ; 12
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
＆ GT ; 14
＆ GT ; 17
＆ GT ; 17
＆ GT ; 20
＆ GT ; 20
＆ GT ; 24
＆ GT ; 24
＆ GT ; 28
＆ GT ; 28
＆ GT ; 34
＆ GT ; 34
＆ GT ; 41
＆ GT ; 41
＆ GT ; 50
＆ GT ; 50
＆ GT ; 60
＆ GT ; 60
＆ GT ; 75
＆ GT ; 75
＆ GT ; 90
＆ GT ; 90
Z-电流
1
)
Z-斯特罗姆
1
)
T
A
= 50°C
I
ZMAX
[马]
1000
317
283
260
241
217
197
181
165
149
135
123
112
102
92
83
76
68
61
56
51
45
41
37
34
32
28
26
24
22
20
18
16
15
14
12
11
10
9
8
8
7
6
ZMY 1
3
)
ZMY 3.9
ZMY 4.3
ZMY 4.7
ZMY 5.1
ZMY 5.6
ZMY 6.2
ZMY 6.8
ZMY 7.5
ZMY 8.2
ZMY 9.1
ZMY 10
ZMY 11
ZMY 12
ZMY 13
ZMY 15
ZMY 16
ZMY 18
ZMY 20
ZMY 22
ZMY 24
ZMY 27
ZMY 30
ZMY 33
ZMY 36
ZMY 39
ZMY 43
ZMY 47
ZMY 51
ZMY 56
ZMY 62
ZMY 68
ZMY 75
ZMY 82
ZMY 91
ZMY 100
ZMY 110
ZMY 120
ZMY 130
ZMY 150
ZMY 160
ZMY 180
ZMY 200
1
）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首
211
ZMY1 THRU ZMY100
齐纳二极管
MELF
特点
硅平面功率齐纳二极管
对于具有较高的稳定和削波电路用
额定功率。
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。更小的电压容差
等齐纳电压可根据要求提供。
这些二极管，可以在所述的DO- 41的情况下与式
指定ZPY1 ... ZPY100 。
阴极标记
.102 (2.6)
.094 (2.4)
.022 (0.55)
.205 (5.2)
.189 (4.8)
尺寸单位：英寸（毫米）
机械数据
案例：
MELF玻璃外壳
重量：
约。 0.25克
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
AMB
= 25°C
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
1.0
1)
150
- 55 + 150
W
°C
°C
特点在环境温度Tamb = 25°C
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
R
thJA
–
–
170
1)
° C / W
注意事项：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
12/16/98
ZMY1 THRU ZMY100
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
齐纳
电压
(2)
at
I
ZT
TYPE
ZMY1
(3)
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
分钟。马克斯。
V
Z
(V)
0.65 … 0.75
3.7 … 4.1
4.0 … 4.6
4.4 … 5.0
4.8 … 5.4
5.2 … 6.0
5.8 … 6.6
6.4 … 7.2
7.0 … 7.9
7.7 … 8.7
8.5 … 9.6
9.4 … 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.8
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 88
85 … 96
94 … 106
动态
阻力
在我
ZT
F = 1千赫
最大
r
zj
()
6.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
4 （ < 7 ）
2 （ < 5 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
1 （ < 2 ）
2 （ < 4 ）
2 （ < 4 ）
3 （ < 7 ）
3 （ < 7 ）
4 （ < 9 ）
4 （ < 9 ）
5 （ < 10 ）
5 （ < 11 ）
6 （ < 12 ）
7 （ < 13 ）
8 （ < 14 ）
9 （ < 15 ）
10 （ < 20 ）
11 （ < 20 ）
25 （ < 60 ）
30 （ < 60 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
45 （ < 100 ）
50 （ < 100 ）
60 （ < 130 ）
65 （ < 130 ）
70 （ < 160 ）
80 （ < 160 ）
120 （ < 250 ）
130 （ < 250 ）
TEMP 。 COEFF 。
齐纳伏。
at
I
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
5
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向
电压
at
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
–
–
–
–
> 0.7
＆ GT ; 1.5
> 2.0
> 3.0
> 5.0
> 6.0
＆ GT ; 7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
> 9.0
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
> 42
> 47
> 51
> 56
> 61
> 68
＆ GT ; 75
可受理
齐纳电流
(1)
在T
AMB
= 25°C
I
Z
（MA ）
406
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
α
VZ
(10
–4
/K)
–26 … –23
–7 … +2
–7 … +3
–7 … +4
–6 … +5
–3 … +5
–1 … +6
0 … +7
0 … +7
+3 … +8
+3 … +8
+5 … +9
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+5 … +10
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +11
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+7 … +12
+8 … +12
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+8 … +13
+9 … +13
+9 … +13
注意事项：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度
（ 2 ）测试与脉冲吨
p
= 5毫秒
（3） ZMY1是在向前方向操作的硅二极管。因此，所有的特征和额定的最大指数应为“ F”，而不是“ Z” 。
阴极端子连接到负极
在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但同时功耗器件看到类型ZMU100 ... ZMU180
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
额定值和特性曲线ZMY1 THRU ZMY100
ZMY3.9 - ZMY100
V
Z
:
3.9至100V
P
D
:
1W
产品特点：
硅平面功率齐纳二极管
用于与稳定和削波电路
更高的额定功率。
这些二极管也可在DO- 41可用
案件的类型名称ZPY3.6 ... ZPY100 。
无铅/符合RoHS免费
齐纳二极管
MELF
阴极标记
φ
0.102 (2.6)
0.094 (2.4)
0.022(0.55)
0.205(5.2)
0.189(4.8)
贴装焊盘布局
0.157 (4.00)
马克斯。
机械数据：
*案例： MELF玻璃柜
*重量0.25克（约）
0.049 （ 1.25 ）最低。
0.118 （ 3.00 ）最低。
0.256 (6.50)
REF
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
参数
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗
热阻结到环境空气
热阻结到外壳（典型值）。
结温
存储温度范围
注：（1 ）有效的规定，电极被保持在环境温度
（评分25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
P
D
R
θ
JA
R
θJC
T
J
T
S
价值
1
(1)
170
(1)
60
175
-65到+ 175
单位
W
° C / W
° C / W
°C
°C
第1页4
启示录03 ： 2005年5月11日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
动态
齐纳电压
(1)
在我
ZT
阻力位
TYPE
温度。 COEFF 。的
齐纳电压在我
ZT
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
反向电压
在我
R
=0.5A
V
R
V
R
(V)
-
-
-
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
Asmissible
齐纳电流
(2)
I
Z
（MA ）
203
182
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
V
z
(V)
分钟。
马克斯。
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.8
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
88
96
106
I
ZT
中，f = 1kHz时
RZJ （ Ω ）
4(<7)
4(<7)
4(<7)
2(<5)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
1(<2)
2(<4)
2(<4)
3(<7)
3(<7)
4(<9)
4(<9)
5(<10)
5(<11)
6(<12)
7(<13)
8(<14)
9(<15)
10(<20)
11(<20)
25(<60)
30(<60)
35(<80)
40(<80)
45(<100)
50(<100)
60(<130)
65(<130)
70(<160)
80(<160)
120(<250)
130(<250)
α
VZ
(10
-4
/
°
C)
分钟。
-7
-7
-7
-6
-3
-1
0
0
3
3
5
5
5
5
5
7
7
7
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
9
9
马克斯。
2
3
4
5
5
6
7
7
8
8
9
10
10
10
10
11
11
11
11
12
12
12
12
12
12
13
13
13
13
13
13
13
13
13
13
ZMY3.9
ZMY4.3
ZMY4.7
ZMY5.1
ZMY5.6
ZMY6.2
ZMY6.8
ZMY7.5
ZMY8.2
ZMY9.1
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY18
ZMY20
ZMY22
ZMY24
ZMY27
ZMY30
ZMY33
ZMY36
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
注：（ 1 ）测试与脉冲TP = 5ms的
（2）有效的规定，电极被保持在环境温度
在玻璃柜MELF具有较高的齐纳电压，但同时功耗器件看到类型ZMU100 ... ZMU180
第2页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
240
ZMY3.9
ZMY4.7
T
J
= 25°C
200
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY5.6
160
ZMY6.8
ZMY8.2
120
测试电流IZ
100mA
ZMY10
ZMY12
80
50mA
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
Z
，齐纳电压（伏）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
60
ZMY15
ZMY18
ZMY22
T
J
= 25°C
50
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY27
40
ZMY33
测试电流IZ
25mA
30
ZMY39
ZMY47
20
10mA
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
第3页4
启示录03 ： 2005年5月11日
额定值和特性曲线（ ZMY3.9 ZMY100 ）
击穿特性
T
J
=常数（脉冲）
20
ZMY56
T
J
= 25°C
IZ ，齐纳电流（毫安）
ZMY68
测试电流IZ
10mA
ZMY82
ZMY100
10
5mA
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
V
Z
，齐纳电压（伏）
功耗温度降额曲线
1.2
1.0
P
D
，最大耗散
（瓦特）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TA ，环境温度（ ° C）
第4页4
启示录03 ： 2005年5月11日
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
对于稳定和削波电路与高额定功率的使用
密封式玻璃硅二极管
标记：随着阴极频带
绝对最大额定值（T
a
=25C)
描述
功耗
非重复性峰值功率Disspation ，
吨<10ms
结温
存储温度范围
热特性
结到环境中的自由空气
符号
*P
D
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
1.3
5.0
175
- 55 +175
单位
W
W
°C
°C
*R
号（j -a）的
TEST
当前
115.3
V
F
<1.2V在200毫安
反向
电压
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
>0.5
>0.7
>1.5
>2.0
>3.0
>5.0
>6.0
>7.0
>7.5
>8.5
>9.0
>10
>11
>12
>14
>15
>17
>18
>20
>22.5
>25
>27
K / W
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
温度。 COEFF 。的
装置＃
动态
**齐纳电压
齐纳电压。
阻力
在我
Z
TEST
在我
Z
TEST
V
Z
在我
ZT
f=1kHz
(V)
r
zj
()
α
V
Z
10
-4
/K
民
最大
最大
-7…..+4
ZMY4.7
4.4
5.0
7
-6…..+5
4.8
5.4
5
ZMY5.1
-3…..+5
5.2
6.0
2
ZMY5.6
-1…..+6
5.8
6.6
2
ZMY6.2
0…..7
ZMY6.8
6.4
7.2
2
0…..7
7.9
2
ZMY7.5
7.0
+3…..+8
8.7
2
ZMY8.2
7.7
+3…..+8
9.6
4
ZMY9.1
8.5
+5…..+9
ZMY10
9.4
10.6
4
+5…..+10
11.6
7
ZMY11
10.4
+5…..+10
12.7
7
ZMY12
11.4
ZMY13
12.4
14.1
9
+5…..+10
ZMY15
13.8
15.8
9
+5…..+10
ZMY16
15.3
17.1
10
+7…..+11
ZMY18
16.8
19.1
11
+7…..+11
ZMY20
18.8
21.2
12
+7…..+11
ZMY22
20.8
23.3
13
+7…..+11
ZMY24
22.8
25.6
14
+7…..+12
ZMY27
25.1
28.9
15
+7…..+12
+7…..+12
ZMY30
28.0
32.0
20
ZMY33
31.0
35.0
20
+7…..+12
ZMY36
34.0
38.0
60
+7…..+12
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
在我
Z
TEST
（MA ）
100
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
*容许
齐纳电流
在我
Z
TEST
（MA ）
165
150
135
128
110
100
89
82
74
66
60
55
49
44
40
36
34
29
27
25
22
20
数据表
第1页4
硅平面功率齐纳二极管
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
电气特性（T
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
装置＃
**齐纳电压
V
Z
在我
ZT
(V)
ZMY39
ZMY43
ZMY47
ZMY51
ZMY56
ZMY62
ZMY68
ZMY75
ZMY82
ZMY91
ZMY100
民
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
77.0
85.0
94.0
最大
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
88.0
96.0
106
动态
阻力
在我
Z
TEST
r
zj
()
最大
60
80
80
100
100
130
130
160
160
250
250
温度。 COEFF 。的
齐纳电压。
在我
Z
TEST
-4
α
V
Z
10 /K
V
F
<1.2V在200毫安
*容许
反向
齐纳电流
电压
在我
Z
TEST
I
R
= 0.5A
V
R
(V)
（MA ）
>29
>32
>35
>38
>42
>47
>51
>56
>61
>68
>75
18
17
15
14
13
11
10
9
8
7.5
7
TEST
当前
在我
Z
TEST
（MA ）
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
+8…..+12
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+8…..+13
+9…..+13
+9…..+13
*有效的规定，电极被保持在环境温度
**脉象： 20毫秒< TP <50ms
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
组件处置说明
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求讨
处置按照当时的自己国家的环境立法。
2.
在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子
电子设备（WEEE ） 。
ZMY4.7_100V Rev081105E
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
客户注意事项
ZMY4.7 - ZMY100
LL- 41 （ MELF ）
玻璃包装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的半导体器件（ S）最适合的
在你的产品（ S）按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表（ S） ，以
确认设备（S ）满足功能参数，为您的应用程序。装修中的数据表中的信息和
在CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，不承担责任
不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，所引起的应用程序
或使用任何CDIL产品;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品是
不用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品（无论是作为个人
半导体分立器件或在其最终产品的结合），在任何救生/支持设备或系统或
应用这样做在自己的风险和CDIL将不负责对此类销售（S ）造成的任何损坏。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ， 5141 1112传真：+ 91-11-2579 5290 ， 5141 1119
email@cdil.com
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数据表
第4页4
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推荐型号
ZSR850N8
ZVP2110G
ZX5T853GTC
Z-15GQA55-B5V
ZB6DA5
Z02W7.5V
ZMCHF7P0L
ZB6-DA5
Z84C4204PEC
Z5SMB5336B
ZRA250F005
ZMM5246B-7
Z0221524VSCR50A5TR
ZVN4206GV
ZXTP2014Z
ZB4-BD8
ZXTP05120HFFTA
ZL20250
Z3PK2045H
ZRC500N801
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ZMY5.6
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    -
    -
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    ZMY5.6
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ZMY5.6
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市芯脉实业有限公司
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电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
ZMY5.6
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深圳市恒佳微电子有限公司
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电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
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联系人：朱先生/王小姐
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ZMY5.6
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