SIGC25T120CS
IGBT芯片在NPT技术
产品特点：
1200V NPT技术
180μm芯片
低关断损耗
尾短电流
正温度系数
简单的并联
该芯片被用于：
C
应用范围：
驱动器，开关电源，共振
应用
G
E
芯片型号
SIGC25T120CS
V
CE
1200V
I
Cn
15A
模具尺寸
5.71 X 4.53毫米
2
包
锯成薄片上
订购代码
Q67050-A4114
力学参数：
栅格尺寸
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
发射金属
收藏家金属化
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
5.71 x 4.53
2 x (2.18 x 1.6)
1.09 x 0.68
25.9 / 18.7
180
150
270
555个
Photoimide
3200纳米的铝硅1 ％
1400纳米镍银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
人， <500μm
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
2
mm
GRD
英飞凌科技AI PS DD HV3 ，L 7141 -S ，第2版， 2003年3月9日编辑
SIGC25T120CS
最大额定值：
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门极电压
工作结温和存储温度
1)
符号
V
CE
I
C
I
Cpuls
V
GE
T
j
, T
S T摹
价值
1200
1)
单位
V
A
A
V
°C
45
±20
-55 ... +150
根据装配的热性能
静态特性（芯片测试） ，
T
j=25
°C,
除非另有规定：
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
条件
分钟。
V
GE
= 0V时，我
C
=1mA
V
GE
= 15V ，我
C
=15A
I
C
= 0.6毫安，V
GE
=V
CE
V
CE
=1200V , V
GE
=0V
V
CE
=0V , V
GE
=20V
1200
2.5
3.0
3.0
4.0
3.6
5.0
2
480
A
nA
V
价值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
（在部分测试） ：
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
我S S小
C
S S小
C
S S小
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
= 0 V ,
f
=1MHz
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
1250
100
65
马克斯。
单位
pF
开关特性
（在组件测试） ，感性负载
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
1)
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
1)
T
j
= 1 5 0
°
C
V
C C
= 80 0 V ,
I
C
=15A,
V
GE
= - 1 5 / 1 5 V ,
R
G
= 3 3
价值
分钟。
-
-
-
-
典型值。
38
30
652
31
马克斯。
单位
ns
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
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SIGC25T120CS
CHIP图：
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SIGC25T120CS
进一步电气特性：
该芯片数据手册指
器件的数据手册
描述：
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
SGP15N120
出版
英飞凌科技股份公司，
Bereich KOMMUNIKATION
圣 - 马丁大街53 ，
D- 81541慕尼黑
英飞凌科技股份公司2002年
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信息
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警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统的明确
英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
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