1N821UR通1N829AUR - 1
(或MLL821直通MLL829-1 )
斯科茨代尔区划
6.2 & 6.55伏温度补偿
表面贴装齐纳二极管参考
描述
通1N829AUR -1系列的表面贴装1N821UR零-TC
参考二极管提供了一个选择两个6.2 V和6.55 V的名义
电压和温度系数低达0.0005 %/
o
下最小
电压随温度的时候,在7.5毫安操作改变。这些玻璃
表面贴装DO- 213AA ( MELF )基准二极管可选用
具有内部冶金键通过添加“-1”的后缀。这类
齐合封装结构也是一月, JANTX可用,
JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳二极管的参考产品,适用于各种其他电压高达200V。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-213AA
特点
表面贴装JEDEC相当于注册
1N821通1N829系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
参考电压选择6.2 V & 6.55 V +/- 5 %
进一步紧密公差的选择在更低的电压
1N821 , 823 , 825 , 827和829也有面
坐骑加入资格MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
在JAN , JANTX ,或JANTXV前缀部分
数字的以及“ -1”后缀;例如JANTX1N829-
1等
可轴向引线也等同于DO- 35或
DO- 7不UR后缀(参见单独的数据表)
包括军事资历长达JANS为DO- 7
(参见单独的数据表)
JANS等效可用在DO- 213AA通过SCD
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
温度范围
对于仪器仪表等电路设计
需要稳定的电压参考
最大温度系数可用的选项
0.01 % / C至0.0005 % / C
紧身参考电压容差可用
通过添加指定中心的6.15 V标称值
公差,如1 %,2% ,3%,等等的部分之后
为标识号
例如1N827UR - 2% , 1N829AUR -1-1 %等。
小型表面贴装足迹
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
100 pF以下的典型的低电容
最大额定值
工作温度: -65
o
C至+175
o
C
存储温度: -65
o
C至+175
o
C
DC功耗: 500毫瓦@ T
L
= 25
o
C和
最大电流I
ZM
70毫安。注:对于
最佳的电压下稳定,我
Z
= 7.5毫安
(小于50毫瓦的功率耗散)
焊接温度: 260
o
下进行10秒(最大)
机械及包装
案例:全密封的玻璃柜。 DO- 213AA
包
终端:信息,锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ,方法2026
标记:阴极频带(除双阳极
1N822和1N824 )
极性:参考二极管与操作
带状端与相对于正
另一端
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 481 -B与
12毫米磁带, 2000元7寸盘或5000 OER 13
英寸卷轴(添加“TR”后缀的部件号)
重量0.04克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N821UR通
1N829AUR-1
版权
2003
2003年12月19日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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.C
OM
*电气特性@ 25
o
C,除非另有规定编
最大
齐纳
阻抗
(注2 )
Z
ZT
@ I
ZT
最大
反向
当前
I
R
@ 3 V
电压
温度
稳定性
(V
ZT
MAX )
o
o
-55℃至+ 100℃
(注3和4)
JEDEC
类型编号
(注1,5 & 6 )
齐纳
电压
(注1和4)
V
Z
@ I
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
有效
温度
系数
α
VZ
o
1N821UR
1N821AUR
1N822UR
1N823UR
1N823AUR
1N824UR
1N825UR
1N825AUR
1N826UR
1N827UR
1N827AUR
1N828UR
1N829UR
1N829AUR
伏
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
A
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
%/ C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
* JEDEC注册的数据。
双阳极;电气规格同时适用于偏极性下。
注意事项:
1.
添加一个“-1”后缀内部的冶金结合。订货时有严格的公差设备比对V指定
Z
额定电压
6.15 V,进一步增加了带有分隔符的后缀编号%的零件编号为所需的公差,如1N827UR -1-2 % , 1N829UR -1-1 % ,
1N829AUR -1% , 1N829AUR -1-1 %等。
o
2.
齐纳阻抗叠加上7.5毫安直流0.75毫安交流有效值@ 25℃测
3.
观察到的在整个温度范围内,即允许的最大变化,二极管电压不会超过规定的毫伏
改变在规定的限度之间的任何分离的温度。
4.
电压测量应用直流电流后进行15秒。
5.
1N821UR -1, 1N823UR -1, 1N825UR -1, 1N827UR -1,和1N829UR -1也有资格MIL- PRF-一百五十九分之一万九千五百通过将JAN ,
JANTX ,或JANTXV前缀的部件号以及“-1”后缀;例如JANTX1N827UR -1, JANTXV1N829UR - 1等。
6.
该系列产品目前也已经预先确定为MLL821通MLL829A - 1 。
此替代名称仍然可以使用。
1N821UR通
1N829AUR-1
版权
2003
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图的
变化的温度系数( %/℃)
的温度变化系数(毫伏/℃ )
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
o
图2
温度系数典型改变
变革中的工作电流。
在图2所示的曲线是典型的二极管串联的并大大简化了
的温度系数的估计( TC)时,二极管在操作
电流比7.5毫安等。
例如:在本系列的二极管在7.5毫安的当前操作,并具有
指定的温度系数( TC )为+/- 0.005 %的限制/
o
C.为了获得
为在电流操作此相同的二极管典型的温度系数范围
6.0毫安,新的TC限制( % /
o
C)可以使用图形在图2中进行估计。
在6.0毫安的测试电流的温度系数的变化( TC )是
约-0.0006 % 。
o
为+/- 0.005% C的代数和
o
C和 -
0.0006%/
o
C给出的+ 0.0044 % /℃和-0.0056 % /℃的新的估计范围。
I
Z
- 工作电流(mA )
V
Z
- 变化中的齐纳电压(MV )
科幻gure 3
齐纳电压的典型变化
并且更改工作电流
这条曲线在图3中示出了二极管的变化
电压从阻抗的影响而产生。它实际上是
在Ⅳ的齐纳操作区域的分解图
的特点。
在结合图2 ,该曲线可用于
两者的条件下,估计总电压调节
变化的温度和电流。
I
Z
- 工作电流(mA )
包装尺寸
暗淡
A
B
C
英寸
民
最大
0.063
0.067
0.130
0.146
0.016
0.022
MILLIMETERS
民
最大
1.60
1.70
3.30
3.70
0.41
0.55
A
B
C
焊盘布局
英寸
.200
.055
.080
mm
5.08
1.40
2.03
1N821UR通
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