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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第347页 > CAT28C17AWI-20T
CAT28C17A
16 kb的CMOS并行
EEPROM
描述
该CAT28C17A是一种快速,低功耗, 5 V仅CMOS并行
EEPROM组织为2K ×8位。它需要一个简单的接口
在系统编程。芯片上地址和数据锁存器,自定时
写周期,自动清除和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。数据轮询和
一个RDY / BSY引脚信号的自定时写周期的开始和结束。
此外, CAT28C17A支持硬件写保护。
该CAT28C17A采用安森美半导体的制造
先进的CMOS浮栅技术。它的目的是要忍受
万编程/擦除周期,具有10年的数据保存。该
器件采用JEDEC批准的28引脚DIP和SOIC或
32引脚PLCC封装。
特点
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SOIC28
J,K, W,X后缀
CASE 751BM
快速读取访问次数: 200纳秒
低功耗CMOS功耗:
- 活动:最多25 mA的电流。
- 待机: 100
mA
马克斯。
简单的写操作:
- 片上的地址和数据锁存器
- 自定时写周期,自动清除
快速写周期时间: 10 ms最大
写检测结束:
数据轮询
RDY / BSY引脚
硬件写保护
CMOS和TTL兼容的I / O
万编程/擦除周期
10年的数据保存
商用,工业和汽车温度范围
PDIP28
P,L后缀
CASE 646AE
PLCC32
N,G后缀
CASE 776AK
引脚功能
引脚名称
A
0
A
10
I / O
0
-I / O
7
RDY / BUSY
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
READY / BUSY状态
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
5 V电源
无连接
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年12月,
第4版
1
出版订单号:
CAT28C17A/D
CAT28C17A
引脚配置
A
7
NC
RDY / BUSY
NC
V
CC
WE
NC
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4 3 2 1 32 31 30
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
顶视图
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
DIP封装(P , L)
SOIC封装( J,K , W,X )
RDY / BUSY
NC
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
PLCC封装(N ,G )
A
8
A
9
NC
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
A
4
A
10
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
保护
ROW
解码器
2,048 x 8
EEPROM
ARRAY
V
CC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
逻辑
数据轮询
& RDY / BUSY
I / O缓冲器
定时器
ADDR 。 BUFFER
&门锁
I / O
0
-I / O
7
A
0
A
3
RDY / BUSY
COLUMN
解码器
图1.框图
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2
CAT28C17A
表1.模式选择
模式
字节写(我们控制)
字节写( CE控制)
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
表2.电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= 5 V)
符号
C
I / O
(注1 )
C
IN
(注1 )
TEST
输入/输出电容
输入电容
最大
10
6
条件
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
单位
pF
pF
1.该参数,并初步设计或过程的变化会影响该参数后进行测试。
表3.绝对最大额定值
参数
在偏置温度
储存温度
在相对于地面的任何引脚电压(注2 )
V
CC
相对于地面
包装功率耗散能力(T
A
= 25°C)
引线焊接温度( 10秒)
输出短路电流(注3 )
评级
-55到+125
-65到+150
-2.0 V至+ V
CC
+ 2.0 V
2.0
到+7.0
1.0
300
100
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
2.最小DC输入电压是
0.5
五,在转换过程中,可能会投入到下冲
2.0
V代表小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V,这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V,对于小于20毫微秒周期。
3.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
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3
CAT28C17A
表4.可靠性的特点
(注4 )
符号
N
结束
T
DR
V
ZAP
I
LTH
(注5 )
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
LATCH -UP
测试方法
MIL - STD-883标准,测试方法1033
MIL - STD-883标准,测试方法1008
MIL - STD-883标准,测试方法3015
JEDEC标准17
10,000
10
2,000
100
最大
单位
周期/字节
岁月
V
mA
4.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
提供5闩锁保护的压力高达100毫安的地址和数据引脚从
1
V到V
CC
+ 1 V.
表5.直流工作特性
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定)。
范围
符号
I
CC
I
CCC
(注6 )
I
SB
I
SBC
(注7 )
I
LI
I
LO
V
IH
(注7 )
V
IL
(注6 )
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流(工作, TTL )
V
CC
电流(工作, CMOS )
V
CC
电流(待机, TTL )
V
CC
电流(待机, CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
I
OH
=
400
mA
I
OL
= 2.1毫安
3.0
测试条件
CE = OE = V
IL
,
F = 1 / T的
RC
分钟,所有的I / O公开赛
CE = OE = V
ILC
,
F = 1 / T的
RC
分钟,所有的I / O公开赛
CE = V
IH
,所有的I / O公开赛
CE = V
IHC
,所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE = V
IH
10
10
2
0.3
2.4
0.4
典型值
最大
35
25
1
100
10
10
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
6. V
ILC
=
0.3
V到+0.3 V
7. V
IHC
= V
CC
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
表6.交流的特点,读周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定)。
28C17A20
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ
(注8)
t
OLZ
(注8)
t
HZ
(注8,9)
t
OHZ
(注8,9)
t
OH
(注8)
读周期时间
CE访问时间
地址访问时间
OE访问时间
CE低到有源输出
OE低到输出有效
CE高到输出高阻态
OE高到输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
55
55
参数
200
200
200
80
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8.此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
9.输出浮动(高Z )被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
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4
CAT28C17A
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
2.0 V
0.8 V
参考点
图2.交流测试输入/输出波形
(注10 )
10.输入上升和下降时间( 10 %和90 % ), < 10纳秒。
1.3 V
1N914
3.3 K
设备
TEST
OUT
C
L
= 100 pF的
C
L
包括夹具电容
图3.交流测试负载电路(例如)
表7.交流的特点,写周期
(V
CC
= 5 V
±10%,
除非另有规定)。
28C17A20
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW
(注11 )
t
OES
t
OEH
t
WP
(注11 )
t
DS
t
DH
t
DL
t
INIT
(注12 )
t
DB
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE建立时间
CE保持时间
CE脉冲时间
OE建立时间
OE保持时间
WE脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
数据锁存时间
写保护期后电
时间到设备忙
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
50
5
20
80
参数
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
小于20 ns的时间11.写脉冲不会启动写周期。
12,此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
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