32C408B
4兆位（ 512K ×8位） SRAM
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
36
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
ROW
解码器
存储矩阵
1024行× 4096柱
DQ0
32C408B
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
CS
DQ7
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
A18
A17
A16
A15
A14
A3
A2
A1
A0
DQ0
内存
WE
OE
DQ7
18
19
NC
逻辑图
F
EATURES
:
512K的×8位CMOS架构
R
AD
-P
AK
技术强化对自然空间辐射
ATION
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
单事件效应：
- SEL
TH
： > 68兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
： < 3MeV /毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面： 6E - 9厘米
2
/位
??包装：
-36针
AD
-P
AK
扁平封装
快速传播时间：
-20 ， 25 ， 30 ns的最大访问时间
单5V ±10％电源
低功耗：
- 待机： 60毫安（ TTL ） ; 10毫安（ CMOS）的
- 操作：180 MA（ 20纳秒） ; 170毫安（ 25纳秒） ; 160毫安（ 30
NS ）
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 32C408B高速4兆位的SRAM
微电路设有超过100拉德（ Si）的总剂量
宽容，取决于航天飞行任务。基于R
AD
-P
AK
包装技术，该32C408B实现更高的密度，
更高的性能和更低的功耗，并且是很好
适用于高速系统中的应用。它的全静态设计
省去了外部时钟，而在CMOS税务局局长
cuitry降低了功耗，并提供了更高的可靠性
的能力。该32C408B配有8个通用输入/
输出线，片选和输出使能，允许
更大的系统灵活性和消除总线争用。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
可以提供比真正的更大的
100拉德（ Si）的总辐射剂量的耐受性;依赖
太空任务。获得专利的抗辐射
AD
-P
AK
技术结合辐射屏蔽的微电路
封装。它省去了框屏蔽而provid-
荷兰国际集团所需的辐射屏蔽在轨道上或一辈子
太空任务。本产品可与包装
筛选高达类S.
02年2月5日第七版
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2002麦克斯韦技术
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4兆位（ 512K ×8位） SRAM
T
ABLE
1. 32C408B一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
S
YMBOL
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
S
T
A
M
IN
-0.5
-0.5
--
-65
-55
32C408B
M
AX
V
CC
+0.5
7.0
1.0
+150
+125
U
NIT
V
V
W
°
C
°
C
T
ABLE
2. 32C408B
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
地
输入高电压
1
输入低电压
2
热阻抗
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V AC（脉冲宽度为10ns < ），因为我< 20mA电流。
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流（脉冲宽度为10ns < ），因为我< 20mA电流。
S
YMBOL
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
M
IN
4.5
0
2.2
-0.5
--
M
AX
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
0.63
U
NIT
V
V
V
V
° C / W
内存
Θ
JC
T
ABLE
3. 32C408B DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5V +/- 10％ ，T
A
= -55
TO
+ 1'25C ，U
NLESS
O
TERWISE
S
PECIFIED
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
C
ONDITION
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
OUT
=V
SS
到V
CC
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
S
YMBOL
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
I
SB
I
SB1
C
IN
C
I / O
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
--
--
--
--
--
--
--
M
IN
-2
-2
--
2.4
--
180
170
160
60
10
7
8
pF
pF
mA
T
YP
--
--
--
M
AX
2
2
0.4
--
U
NIT
A
A
V
V
mA
平均工作电流
闵周期， 100 ％占空比， CS = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安，V
IN
= V
IH
或V
IL
租金
-20
-25
-30
备用电源
当前
输入电容
1
输出电容
1
1.保证设计
CS = V
IH
F = 0MHz处， CS > V
CC
- 02V, V
IN
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
A
= 25 °C.
V
I / O
= 0V
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