前一节讨论了晶体管作为线性放大器的情况。TSM101AIDT晶体管的第二个主要应用领域就是开关应用。当晶体管用作电子开关时，一般是交替地工作于截止与饱和状态。
    在学完本节后，应该能够分析晶体管开关电路：
    ①说明截止的条件。
    ②说明饱和的条件。
    ③计箅集电极一发射极之间的截止电压。    ．
    ④计算集电极一发射极之间的饱和电压。
    ⑤计算产生饱和的最小基极电流。
    图17. 30给出了作为开关器件的晶体管的基本工作图示。在图17.30(a)中，由于B-E结没有正向偏压，所以晶体管处于截止区。在这种情况下，集电极和发射极之间在理想情况下是开路的，如图中的等效开关所示。在图17. 30(b)中，晶体管处于饱和区，因为B-E结和B-C结均为正向偏置，而且基极电流足够大，足以使集电极电流达到其饱和值。在这种情况下，集电极和发射极之间在理想情况下是短路的，如图中的等效开关所示。实际上，一般都会有高达零点几伏的电压降存在，该电压称为饱和电压，用VCES表示。

           
    场效应管的直流工作
    回忆一下，双极结型晶体管( BJT)是一种电流控制器件，也就是通过基极电流控制集电极电流的大小。场效应管(FET，Field-Effect Transistor)则不同，它是一种电压控制器件，它用栅极电压控制流过器件的电流的大小。还有，和BJT相比，FET有一个非常高的输入电阻，使其在某些应用中非常有优势。FET的两种主要类型是结型场效应管(JFET，Junction F、ld-Effect Transistor)和金属氧化物半导体场效应管(MOSFET，Met-al-()xide Semiconductor Field-Effect Transistor).
    在学完本节后，应该能够说明JFET和MOSFET的基本结构和工作过程：
    ①认识标准FET的符号。
    ②解释JFET和MOSFET之间的区别。