600V IGBT采用稳健经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构
发布时间:2024/4/22 0:23:50 访问次数:47
凭借600V器件进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场第一炮。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
每路输出都有单独的过载保护机制，这样，没有过载的通道就可以继续正常运行。
八路输出开关ISO808、ISO808A、ISO808-1和ISO808A-可驱动所有类型的单侧接地工业负载，例如，容性负载、阻性负载和感性负载。典型用例是可编程逻辑控制器(PLC)、工业 PC和计算机数控(CNC)机，特别是需要隔离电流以增强保护功能的智能工厂敏感电子设备。
这些开关的性能和特性有助于工业应用符合适用的国际标准，包括IEC 61000规范的静电放电(ESD)、电气瞬变和工频磁场抗扰度，符合UL1577和UL508隔离规范以及VDE 0844-11安全限制。
产品特性
电流测量范围：±10A~±65A；
电流响应时间： 带宽范围：DC~500kHz；
测量误差：±1%（室温工况）；
原边导体电阻：1mOhm；
绝缘耐压强度：4.8kV（TMR7616），3kV（TMR7608）；
爬电间隙：8.2mm（TMR7616），4mm（TMR7608）。
深圳市金泽顺电子有限公司http://jzs.51dzw.com
凭借600V器件进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场第一炮。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，这些器件的市场预计将随着太阳能面板和电动汽车(EV)充电器的日益普及而有所增长。
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。这可提高功率逆变器、感应加热器、焊接设备和工业应用（如电机驱动和伺服、机器人、电梯、机器操作手和工业自动化等）的效率和可靠性。
每路输出都有单独的过载保护机制，这样，没有过载的通道就可以继续正常运行。
八路输出开关ISO808、ISO808A、ISO808-1和ISO808A-可驱动所有类型的单侧接地工业负载，例如，容性负载、阻性负载和感性负载。典型用例是可编程逻辑控制器(PLC)、工业 PC和计算机数控(CNC)机，特别是需要隔离电流以增强保护功能的智能工厂敏感电子设备。
这些开关的性能和特性有助于工业应用符合适用的国际标准，包括IEC 61000规范的静电放电(ESD)、电气瞬变和工频磁场抗扰度，符合UL1577和UL508隔离规范以及VDE 0844-11安全限制。
产品特性
电流测量范围：±10A~±65A；
电流响应时间： 带宽范围：DC~500kHz；
测量误差：±1%（室温工况）；
原边导体电阻：1mOhm；
绝缘耐压强度：4.8kV（TMR7616），3kV（TMR7608）；
爬电间隙：8.2mm（TMR7616），4mm（TMR7608）。
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