千兆位以太网和10GbE应用需求而设计全新XpressO振荡器
发布时间:2023/10/30 13:36:39 访问次数:136
热增强型5毫米x6毫米QFN封装，尺寸比其它分立式解决方案小30%，仅为315mm2。这两款器件是首批集成TI NexFET技术的产品，可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。
NexFET功率块支持多相位50A、100A及更强电流,除SWIFT转换器的强电流性能之外，CSD86350Q5D NexFET功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。
CSD86350Q5D在25A电流下效率超过90%，且还能与TPS40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计;其电流可扩展至50A、100A以及更高。
晶体振荡器是首批结合Fox突破性专利XPRESSO技术，并具备满足严苛的3.3V(±5%标准)以太网专用需求特性要求的器件，可以确保达到最高的性能，并节省与定制产品相关的等待时间。
XpressO振荡器系列以低成本快速提供低抖动、小尺寸封装及多种频率和多种频率和输出选择。此外，它更采用了一系列由Fox设计和开发的专用集成电路 (ASIC) 专利，尤其侧重于降噪技术。
集成FET的业界最小型、最高效率的降压转换器，可为电信、网络以及其它应用提供高达25A的电流。
25A，14V的TPS56221集成NexFET MOSFET且简单易用，与SWIFT开关转换器同步，可在12V输入至1.3V 输出的高负载条件下，同时实现超过200W/in3的功率密度以及超过90%的效率，从而可在500kHz 开关频率下提供高达25A的持续输出电流。
最新TPS56121 15A、14V同步开关转换器与其它同类产品相比，不但可在5V输入至1.2V输出下将效率提高3%，而且还可将开关速度提高2倍。
深圳市森锐电子商贸有限公司http://srdz1.51dzw.com
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NexFET功率块支持多相位50A、100A及更强电流,除SWIFT转换器的强电流性能之外，CSD86350Q5D NexFET功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。
CSD86350Q5D在25A电流下效率超过90%，且还能与TPS40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计;其电流可扩展至50A、100A以及更高。
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XpressO振荡器系列以低成本快速提供低抖动、小尺寸封装及多种频率和多种频率和输出选择。此外，它更采用了一系列由Fox设计和开发的专用集成电路 (ASIC) 专利，尤其侧重于降噪技术。
集成FET的业界最小型、最高效率的降压转换器，可为电信、网络以及其它应用提供高达25A的电流。
25A，14V的TPS56221集成NexFET MOSFET且简单易用，与SWIFT开关转换器同步，可在12V输入至1.3V 输出的高负载条件下，同时实现超过200W/in3的功率密度以及超过90%的效率，从而可在500kHz 开关频率下提供高达25A的持续输出电流。
最新TPS56121 15A、14V同步开关转换器与其它同类产品相比，不但可在5V输入至1.2V输出下将效率提高3%，而且还可将开关速度提高2倍。
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公网安备44030402000607
