新NMOS外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快晶体管

发布时间:2023/8/13 22:31:53 访问次数:77

3.2TB闪存容量的高端Nytro WarpDrive加速卡。这是业界首款采用PCIe 3.0接口的PCIe闪存卡，可实现超过4.0Gb/s的可持续吞吐性能。

与中端紧凑型Nytro WarpDrive型号相比，该卡可提供两倍闪存容量，以便客户在减少闪存卡数量或者显著减少SSD数量的情况下，提升基于闪存的服务器设计的存储密度，从而增强服务器性能。

拥有800GB板载闪存，并配备智能缓存软件和4个外部端口的高容量Nytro MegaRAID卡，能够为多达128个SATA或SAS设备提供连接功能和MegaRAID数据保护功能。

自90纳米终端节点以来，具有即时掺杂性能的应变选择性外延膜已经改善了PMOS晶体管的迁移率，降低了电阻，从而提高了晶体管的速度。

在NMOS 晶体管中采用选择性外延，具有类似的提升作用，能够增强总体芯片的性能。

通过将这种技术用于这两类晶体管，应用材料公司推动了行业发展，以满足日益增长的多功能移动产品更快和更高计算能力的需求。这种性能的提升有助于客户实现更先进的功能，如提升多任务和更高品质的图形以及影像处理能力等。

新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要。

一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。

独特板载集成200GB闪存容量的产品，配套智能缓存软件及LSI领先的双核片上RAID（RoC）技术。

该产品拥有四个外部6Gb/s SAS+SATA端口，支持与最多128个终端设备相连，可为直接附加存储和外部机架式磁盘机柜配置提供智能应用加速、灵活闪存存储和企业级数据保护功能。

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