17nC超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET关键品质因数
发布时间:2023/7/27 18:57:20 访问次数:78
浪涌抑制器IC能够保护负载免遭高压瞬变的伤害,发生输入过压事件（例如汽车的负载突降）时，LTC7860会控制外部MOSFET的栅极，充当开关DC/DC稳压器（保护PWM模式）。该操作能将输出电压调整到安全水平，让负载顺利度过输入过压事件。
定时器到期时，LTC7860在冷却一段时间之后会重新启动，而在此之前外部MOSFET会一直保持关断状态。功率损耗较高时，通过严格限制处于保护PWM模式的时间，元件和热设计可以针对正常操作进行优化，安全度过高压输入浪涌和/或过流故障。另外添加了PMOS，从而实现了电池反接保护。
应用包括MIL1275军用电源系统、ISO7637车辆系统和面向工业与电信设备的通用电源。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术，具有低至0.52Ω（@10V）的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）。
MiniLED芯片的小型化很难做，因为一个MiniLED背光模组几乎会涉及几千颗甚至几万颗的器件，如果其中有一颗坏点出现，在应用的过程中就会导致死灯的情况，从而令整个产品都失效。
LED光源所使用的载波技术和灯具设计也是产生频闪的重要因素。例如，如果将磷光体用作LED光源的转换器材料，则该层材料具有电容效应，会消除一小部分叠加交流。
由于个体的活动类型以及对频闪敏感度的不同，频闪所产生的影响也不经相同，或让人感到反感，或让人注意力不集中，亦或损害人的健康，即使亮度波动超出感知阈值（间接感知）。在这里，余光常常起着重要的作用，因为它使所有的运动看起来更具强烈感，无论是频闪或移动体。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
浪涌抑制器IC能够保护负载免遭高压瞬变的伤害,发生输入过压事件（例如汽车的负载突降）时，LTC7860会控制外部MOSFET的栅极，充当开关DC/DC稳压器（保护PWM模式）。该操作能将输出电压调整到安全水平，让负载顺利度过输入过压事件。
定时器到期时，LTC7860在冷却一段时间之后会重新启动，而在此之前外部MOSFET会一直保持关断状态。功率损耗较高时，通过严格限制处于保护PWM模式的时间，元件和热设计可以针对正常操作进行优化，安全度过高压输入浪涌和/或过流故障。另外添加了PMOS，从而实现了电池反接保护。
应用包括MIL1275军用电源系统、ISO7637车辆系统和面向工业与电信设备的通用电源。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术，具有低至0.52Ω（@10V）的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）。
MiniLED芯片的小型化很难做，因为一个MiniLED背光模组几乎会涉及几千颗甚至几万颗的器件，如果其中有一颗坏点出现，在应用的过程中就会导致死灯的情况，从而令整个产品都失效。
LED光源所使用的载波技术和灯具设计也是产生频闪的重要因素。例如，如果将磷光体用作LED光源的转换器材料，则该层材料具有电容效应，会消除一小部分叠加交流。
由于个体的活动类型以及对频闪敏感度的不同，频闪所产生的影响也不经相同，或让人感到反感，或让人注意力不集中，亦或损害人的健康，即使亮度波动超出感知阈值（间接感知）。在这里，余光常常起着重要的作用，因为它使所有的运动看起来更具强烈感，无论是频闪或移动体。
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