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塑封器件染色渗透试验

发布时间:2019/5/23 21:12:19 访问次数:2116

   塑封器件染色渗透试验

   1)试验设备K1S32161CD-FI70

   试验中使用的设备主要有烧杯等玻璃容器、搅拌器、真空泵、真空箱、过滤器(优于0127um)、烘箱、金相显微镜等。

   2)试验程序

   (l)渗透液制备。渗透液的组分包括低黏度液体浸渗剂(25℃时黏度小于1tlmP'・s)、与浸渗剂配合使用的催化剂、黄色荧光粉。

   (2)排气渗透。在烧杯中倒入足量的渗透液,将器件置入,液面应覆盖被测器件;把烧杯放入培养皿中,以便收集抽真空过程中溢出的溶液;把一个较大的烧杯扣置在盛有溶液烧杯的上方,以防止在真空炉中溶液飞溅:把烧杯等装置放入真空箱;打开真空泵;监控真空条件下溶液的除气。在1,3kPa左右真空度下降开始强烈除气。控制放气阀,以降低真空箱内的真空度,使除气过程中溶液不溢出;一旦除气结束,关闭放气阀并使压力继续下降;当真空度达到40~133Pa时,在此压强下保持15min。15min后打开放气阀,直到真空箱内压强

与外部压强平衡为止。将这些器件在此状态下保持15min后,打开真空箱取出烧杯。

   (3)清洗与烘焙。从溶液中取出被试器件,用纸巾或棉条轻轻擦掉器件上多佘的溶液。然后被试器件放置在有盖培养皿中,并把培养皿放入预热至10O℃的烘干炉,烘焙时间为1h。

   (4)剖面分析。被试器件一般应评估长轴上的一个剖面(检测连接条)、短轴上的三个剖面(检查最短引线,芯片边缘或填充料边缘)。在剖面制作过程中由于染料颗粒在剖面上的涂抹将会出现虚假现象(在紫外光下,污斑看起来像小星光),为了避免这种错觉,务必在样品研磨和抛光后要进行彻底清洗。将制作好的剖面放于紫外光下拍摄剖面照片,观察染料渗透情况,确定渗透深度。剖面分析需重点检查的缺陷主要如下:

   (l)裂纹或其他与封装有关的缺陷;

   (2)分层;

   (3)染料渗透到芯片黏结处或芯片表面;

  (4)在引线出口处染料渗透到超过引线端的50%;

  (5)染料渗透到超过封装内引线长度的50%。



   塑封器件染色渗透试验

   1)试验设备K1S32161CD-FI70

   试验中使用的设备主要有烧杯等玻璃容器、搅拌器、真空泵、真空箱、过滤器(优于0127um)、烘箱、金相显微镜等。

   2)试验程序

   (l)渗透液制备。渗透液的组分包括低黏度液体浸渗剂(25℃时黏度小于1tlmP'・s)、与浸渗剂配合使用的催化剂、黄色荧光粉。

   (2)排气渗透。在烧杯中倒入足量的渗透液,将器件置入,液面应覆盖被测器件;把烧杯放入培养皿中,以便收集抽真空过程中溢出的溶液;把一个较大的烧杯扣置在盛有溶液烧杯的上方,以防止在真空炉中溶液飞溅:把烧杯等装置放入真空箱;打开真空泵;监控真空条件下溶液的除气。在1,3kPa左右真空度下降开始强烈除气。控制放气阀,以降低真空箱内的真空度,使除气过程中溶液不溢出;一旦除气结束,关闭放气阀并使压力继续下降;当真空度达到40~133Pa时,在此压强下保持15min。15min后打开放气阀,直到真空箱内压强

与外部压强平衡为止。将这些器件在此状态下保持15min后,打开真空箱取出烧杯。

   (3)清洗与烘焙。从溶液中取出被试器件,用纸巾或棉条轻轻擦掉器件上多佘的溶液。然后被试器件放置在有盖培养皿中,并把培养皿放入预热至10O℃的烘干炉,烘焙时间为1h。

   (4)剖面分析。被试器件一般应评估长轴上的一个剖面(检测连接条)、短轴上的三个剖面(检查最短引线,芯片边缘或填充料边缘)。在剖面制作过程中由于染料颗粒在剖面上的涂抹将会出现虚假现象(在紫外光下,污斑看起来像小星光),为了避免这种错觉,务必在样品研磨和抛光后要进行彻底清洗。将制作好的剖面放于紫外光下拍摄剖面照片,观察染料渗透情况,确定渗透深度。剖面分析需重点检查的缺陷主要如下:

   (l)裂纹或其他与封装有关的缺陷;

   (2)分层;

   (3)染料渗透到芯片黏结处或芯片表面;

  (4)在引线出口处染料渗透到超过引线端的50%;

  (5)染料渗透到超过封装内引线长度的50%。



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