SI1302DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:带卷 (TR)
SI1302DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:剪切带 (CT)
SI1302DL-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:Digi-Reel®
SI1302DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:带卷 (TR)
SI1302DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:剪切带 (CT)
SI1302DL-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:600mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 600mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:280mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3
- 包装:Digi-Reel®
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 8POS SNGL TIN
- PMIC - LED 驱动器 Richtek USA Inc IC PWM DVR/CTLR CV MR16 12SOP
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC
- 快动,限位,拉杆 Omron Electronics Inc-EMC Div SWITCH BASIC SPDT PCB 5A PCB
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 500W 14V 5% SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3
- PMIC - LED 驱动器 Richtek USA Inc IC PWM DVR/CTLR CV MR16 12SOP
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 16POS DUAL GOLD
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK 1PT GIGABIT SHLD
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 500W 14V 5% SMA
- PMIC - LED 驱动器 Richtek USA Inc 20-WFQFN 裸露焊盘 IC LED DVR 6CH HV 20WQFN
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18POS DUAL TIN
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 28-VFQFN 裸露焊盘 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
- 保险丝 Cooper Bussmann FUSE 2.5A 250V RADIAL
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 33V BIDIRECT SMA