MMUN2211LT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMUN2211LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
MMUN2211LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
MMUN2211LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
MMUN2211LT3详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
MMUN2211LT3G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):10k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):10k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:246mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0603(1608 公制) RES 97.6K OHM 1/10W .1% SMD 0603
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- Mica 和 PTFE Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) CAP MICA 82PF 100V 2% 1210
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23
- 逻辑 - 变换器 ON Semiconductor 28-LCC(J 形引线) IC XLATOR 9BIT ECL-TTL 28-PLCC
- 端子 - 快速连接,快速断连 3M CONN INSUL FEMALE 12-10AWG .250"
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC MPU/RESET CIRC SOT23-3
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- Mica 和 PTFE Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1210(3225 公制) CAP MICA 91PF 100V 1% 1210
- 垫圈 - 套管,凸肩 Richco Plastic Co WASHER SHOULDER #2 NYLON 1000/PK
- 逻辑 - 变换器 ON Semiconductor 28-LCC(J 形引线) IC XLATOR 9B LTCH ECL-TTL 28PLCC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- PMIC - 监控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC RESET CIRC MPU SC70-3
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY