IRLR8503详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR8503PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRLR8503TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8503TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8503TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR8503TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:44A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1650pF @ 25V
- 功率_最大:62W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT 2CH 10K 14TSSOP
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向,管状 RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- PMIC - 热交换 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT QUAD 100K 20QFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CODEWHEEL 28MM 2CH 1024CPR 5MM
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向,管状 RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16SOIC
- PMIC - 热交换 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT 256POS 100K 20QFN
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262