IRFR3707Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3707ZCTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3707ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR3707ZTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR3707ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR3707ZTRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:56A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128K 64-LQFP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 数字隔离器 Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) ISOLAT DGTL 3KVRMS 3CH 16-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128KB 64LQFP
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP
- 按钮 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- 数字隔离器 Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DGTL ISOLATOR QUAD 16-SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 108-LFBGA IC ARM CORTEX MCU 128KB 108NFBGA
- FET - 单 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP