IRFR2407PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
IRFR2407TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2407TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2407TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR2407TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR2407TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
- PMIC - 稳压器 - 专用型 International Rectifier TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA IC CONV PENTIUM II TO-263-5
- 其它 Illumra RADIO LINK TESTER 315MHZ
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 保险丝座 Cooper Bussmann FUSEHLDR 3POS SHORT LEAD FOR GMT
- 红外发射器,UV 发射器 Everlight Electronics Co Ltd 2-SMD,鸥翼型 LED IR 1.9MM RND SUBMINI GULLWIN
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Intersil 6-WDFN 裸露焊盘 IC PHOTO DETECTOR AMBIENT 6ODFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier 6-MLPM IC REG LDO 3.3V 1A 6-MLPM
- FET - 单 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
- 保险丝座 Cooper Bussmann FUSEHLDR 4POS MED LEAD FOR GMT
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 过时/停产零件编号 International Rectifier BOARD CONTROL FOR IR1150S
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Intersil 8-WDFN 裸露焊盘 IC SENSOR AMB LGT-DTGL I2C 8ODFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 International Rectifier 6-MLPM IC REG LDO 3.3V 1A 6-MLPM
- FET - 阵列 International Rectifier 18-PowerVQFN MOSFET N-CH DUAL 30V 5X6 PQFN