IRFBC40L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRFBC40LC详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRFBC40LCL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
IRFBC40LCPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRFBC40LCS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRFBC40LCSTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 3.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
- FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT
- PMIC - 监控器 Intersil SC-70,SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SC-70
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引线) IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-PLCC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP
- PMIC - 电池管理 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盘 IC CHRGR VDC BATT 28-QFN
- FET - 单 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
- PMIC - 监控器 Intersil SC-70,SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.92V SC70-3
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 72KBIT 15NS 100TQFP
- 评估演示板和套件 Intersil * EVAL BOARD FOR ISL9519
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT