IRF6691详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
IRF6691详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6691TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
IRF6691TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6691TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:Digi-Reel®
IRF6691TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:32A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6580pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics TO-220-3 整包 IC REG LDO -15V 1.5A TO-220FP
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 75A 600V TO-264AA
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 5.1M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP 10MHZ LN 8SOIC
- PMIC - 热管理 Texas Instruments SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 IC TEMP SENSR DGTL 2.7V TSOT23-6
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V X7R RADIAL
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V 75A FRD TO-264
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK ADJ 2A 8HSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 5.6K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Intersil 6-WDFN 裸露焊盘 DIGITAL LIGHT SENSOR ADC 6ODFN
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V 75A GENX3 TO-264
- 评估演示板和套件 Texas Instruments BOARD EVAL FOR LMX25312820
- PMIC - 热管理 Texas Instruments SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 IC TEMP SENSOR DGTL 2.7V 6TSOT