IRF6668TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6668TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:Digi-Reel®
IRF6668TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6668TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6668TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6668TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.9V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1320pF @ 25V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 47PF 50V 2% T2H 0402
- PMIC - 稳流/电流管理 International Rectifier 8-DIP(0.300",7.62mm) IC CURRENT SENSE 0.5% 8DIP
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 99.5328 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 阵列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 4.4PF 50V T2H 0402
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165LFBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 1.163 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF GY SIMPLEX UNCONN 500M
- PMIC - 稳流/电流管理 International Rectifier 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC CURRENT SENSE 0.2% 16SOIC
- FET - 阵列 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK