IRF6633ATR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1410pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等距 MU
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MU
- 包装:Digi-Reel®
IRF6633ATR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1410pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等距 MU
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MU
- 包装:带卷 (TR)
IRF6633ATR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1410pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等距 MU
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MU
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6633ATRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1410pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等距 MU
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MU
- 包装:带卷 (TR)
IRF6633TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1250pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:带卷 (TR)
IRF6633TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.6 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1250pF @ 10V
- 功率_最大:2.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MP
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MP
- 包装:Digi-Reel®
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 220 OHM 4 RES 1206
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-DIP(0.600",15.24mm) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 40MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 40MHZ 2.5V SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 220K OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 50MHZ 3.3V SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 24K OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 54MHZ 1.8V SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC