IRF6612TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6612TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:带卷 (TR)
IRF6612TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6612TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:Digi-Reel®
IRF6612TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6612TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 24A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3970pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 1.2PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 500M
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DRIVER 3PHASE 28-SOIC
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 100LQFP
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 24 MHZ 3.3V PECL SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 1.6PF 50V T2H 0402
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 44-PLCC(32 引线) IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44-PLCC
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 500M
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 240 MHZ 3.3V PECL SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 55NS 64LQFP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 1.9PF 50V T2H 0402