IRF6610TR1 全国供应商、价格、PDF资料
IRF6610TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6610TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6610TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:带卷 (TR)
IRF6610TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6610TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1520pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SQ
- 包装:Digi-Reel®
- 未定义的系列 Texas Instruments * IC AMP CURR FEEDBK 100MHZ 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 180PF 100V 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 2700PF 400VDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 22PF 100V 5% RADIAL
- IGBT - 单路 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT FAST B2 600V 40A TO-263
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC AMP CUR FEEDBACK 100MHZ 8-DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 180PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.027UF 400VDC RADIAL
- IGBT - 单路 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 1000V 40A TO-263
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 180PF 100V X7R RADIAL
- 溫度 Texas Instruments IC TEMP SENSOR 2.7V SOT23-3