IRF6609详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6609详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
IRF6609TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
IRF6609TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6609TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:Digi-Reel®
IRF6609TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫欧 @ 31A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6290pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 MT
- 供应商设备封装:DIRECTFET? MT
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 热管理 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TEMP SENSOR DGTL 8-MSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS POWER SUPPLY 12VDC W/RS-485
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
- DIP E-Switch SW DIP SLIDE SPST 5 POS SEALED
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA CONN RCPT .100" 30POS DL PCB SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)8 引线 IC OPAMP ISO 50KHZ SGL 28SOIC
- 溫度 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC MUX/DEMUX 4X1 10MSOP
- PMIC - 热管理 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TEMP SENSOR DGTL 8-MSOP
- DIP E-Switch SW DIP SLIDE SPST 6 POS UNSEALED
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA CONN RCPT .100" 40POS DL PCB R/A
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)8 引线 IC OPAMP ISO 50KHZ SGL 28SOIC
- 溫度 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC SWITCH DUAL DPDT 10MSOP
- 评估板 - 传感器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) BOARD EVALUATION LM89-1