IRF540Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF540ZL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF540ZLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF540ZPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF540ZS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF540ZSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26.5 毫欧 @ 22A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:92W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP R-R LOW VOLT LP 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 51.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OP AMP LO VOLTAGE/PWR 8-MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 4700PF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 6.20M OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 52A TO-268