BC182L详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC182L_D27Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
BC182L_D74Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC182L_D75Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC182L_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO GP NPN 50V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC182LA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):-
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:-
- 功率_最大:-
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE RF SGL 28V 20MA SOD323-2
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 16PF 16V 2% NP0 01005
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS SS NPN GP 50V 100MA TO-92
- PTC 可复位保险丝 EPCOS Inc 径向,圆盘 PTC RESETTABLE 250MA 24V RAD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0603
- 涌入电流限制器 (ICL) EPCOS Inc 0603(1608 公制) CURRENT LIMITR INRSH 2.5 OHM 15%
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NAND DUAL 4INPUT 14SOIC
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 100V 5% NP0 1210
- 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
- PTC 可复位保险丝 EPCOS Inc 径向,圆盘 PTC RESETTABLE 30MA 63V RAD
- 热敏电阻 - NTC EPCOS Inc NTC THERMISTOR S 236/50 /M 51
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 50V Y5V 0603
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.1UF 25V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 16PF 16V 5% NP0 01005