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详细参数
型号:UPA2200T1M-T1-AT
类别:FET - 单
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-WSOF
描述:MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 10V
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-WSOF
供应商设备封装:8-VSOF
包装:带卷 (TR)
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厂 商:NICHICON [ Nichicon corporation ]
描 述:ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
大 小:91K
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