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详细参数
型号:TPCC8001-H(TE12LQM
类别:FET - 单
制造商:Toshiba
封装:8-VDFN 裸露焊盘
描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:22A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.3 毫欧 @ 11A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 10V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-TSON
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:CK-COMPONENTS [ C&K Components ]
描 述:Tri-direction Scan Switch
大 小:382K
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查询更多TPCC8003供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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