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详细参数
型号:SI5504BDC-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
系列:TrenchFET®
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A,3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.1A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:220pF @ 15V
功率_最大:3.12W,3.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)
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厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:OC-12/3, STM-4/1 SONET/SDH CLOCK AND DATA RECOVERY IC
大 小:294K
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