型号：SI4500BDY-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.3W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
