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详细参数
型号:IXTD5N100A
类别:FET - 单
制造商:IXYS
封装:模具
描述:MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV)
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:模具
供应商设备封装:模具
包装:管件
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厂 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K
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IXTD10P50
IXYS
2024
241902
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查询更多IXTD10P50供应信息         发布时间:2024/6/9 16:18:00

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