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详细参数
型号:FSS264-TL-E
类别:FET - 单
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1560pF @ 20V
功率_最大:2.4W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:SCHURTER [ Schurter Inc. ]
描 述:AC Filter 2-Stage, Very High Symmetrical Attenuation
大 小:545K
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查询更多FSS26BWHE3TRTB供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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