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详细参数
型号:FQPF10N20
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-220-3 整包
描述:MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
系列:QFET™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:360 毫欧 @ 3.4A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
功率_最大:40W
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220F
包装:管件
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厂 商:FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述:200V N-Channel MOSFET
大 小:793K
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艾润(香港)电子有限公司
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FQPF11N05C
13+
7000
7000
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查询更多FQPF11N05C供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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