型号:FDG311N
类别:FET - 单
制造商:Fairchild Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
系列:PowerTrench®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 1.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 10V
功率_最大:480mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:剪切带 (CT)
厂 商:FAIRCHILD [ Fairchild Semiconductor ]
描 述:Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ
大 小:305K