型号：FDD2670
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3.6A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1228pF @ 100V
功率_最大：1.3W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252
包装：带卷 (TR)
厂 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：200V N-Channel PowerTrench MOSFET
大 小：97K
