型号：FDB10AN06A0
类别：FET - 单
制造商：Fairchild Semiconductor
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
系列：PowerTrench®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 75A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1840pF @ 25V
功率_最大：135W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263AB
包装：带卷 (TR)
厂 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4mヘ
大 小：634K
